磁気抵抗比の温度係数が小さい磁気抵抗膜

発明者： , ,
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-109814
公開番号（公開出願番号）：特開2003-258333
出願日： 2002年03月06日
公開日（公表日）： 2003年09月12日
要約：

【要約】【課題】本発明は,温度の変化が大きな環境で用いることが可能な,磁気抵抗比(MR比)の温度係数が小さく,且つMR比の値が5%以上の大きな磁気抵抗効果を示し104μΩcm以上の高い電気比抵抗を有する磁気抵抗膜を提供することを目的とする.【解決手段】一般式(Fe1-a-bCoaNib)100-x-y-zMxOyFzで表わされ,MはBe,Mg,Al,Si,Ca,Ti,V,Cr,Sr,Zr,Nb,Mo,Ba,Hf,Ta,W,希土類元素のうちから選択される1種または2種以上の元素からなるナノグラニュラー薄膜で,-50〜+120°Cの温度範囲におけるMR比の温度係数が±500ppm/°C以内で,且つMR比の値が5%以上の大きな磁気抵抗効果を示し104μΩcm以上の高い電気比抵抗を有する磁気抵抗膜に関する.

請求項（抜粋）：

一般式(Fe1-a-bCoaNib)100-x-y-zMxOyFzで表わされ,MはBe,Mg,Al,Si,Ca,Ti,V,Cr,Sr,Zr,Nb,Mo,Ba,Hf,Ta,W,希土類元素のうちから選択される1種または2種以上の元素であり,かつ組成比a,b,x,y,zは原子比率で,0≦a≦10≦b≦0.510≦x≦300≦y≦500≦z≦5030≦x+y+z≦60である組成からなり,5%以上の磁気抵抗比を有し,-50〜+120°Cの温度範囲における磁気抵抗比の温度係数が±500ppm/°C以内であることを特徴とする磁気抵抗比の温度係数が小さい磁気抵抗膜.

IPC (2件)：

H01L 43/08 , H01F 10/10

FI (2件)：

H01L 43/08 M , H01F 10/10

Fターム (2件)：

5E049AB02 , 5E049BA16

引用特許：

出願人引用 (5件)

一軸磁気異方性薄膜
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-224439 出願人：株式会社アモルファス・電子デバイス研究所
高電気抵抗を有する磁気抵抗膜
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-281232 出願人：財団法人電気磁気材料研究所
高電気比抵抗磁気抵抗膜
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-307441 出願人：財団法人電気磁気材料研究所

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審査官引用 (5件)

一軸磁気異方性薄膜
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-224439 出願人：株式会社アモルファス・電子デバイス研究所
高電気抵抗を有する磁気抵抗膜
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-281232 出願人：財団法人電気磁気材料研究所
高電気比抵抗磁気抵抗膜
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-307441 出願人：財団法人電気磁気材料研究所

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