特許
J-GLOBAL ID:201003015445570277
多孔性金属錯体、多孔性金属錯体の製造方法及びガス貯蔵方法
発明者:
,
,
,
,
,
,
出願人/特許権者:
代理人 (3件):
長谷川 芳樹
, 黒木 義樹
, 清水 義憲
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2009-059612
公開番号(公開出願番号):特開2010-209042
出願日: 2009年03月12日
公開日(公表日): 2010年09月24日
要約:
【課題】アルミニウムイオンを含む多孔性金属錯体であって、水素、メタン、二酸化炭素等のガスに対して十分なガス吸蔵能を有する多孔性金属錯体及びその製造方法、並びに当該錯体を用いたガス貯蔵方法を提供する。【解決手段】アルミニウムイオンと下記式(1)又は(2)で表される芳香族カルボン酸との配位結合によって構成される金属錯体を含み、金属錯体の複数が集積して形成された細孔構造を有する多孔性金属錯体。[式中、n及びmは共に1〜5の整数を示す。]【選択図】図1
請求項(抜粋):
アルミニウムイオンと下記一般式(1)又は(2)で表される芳香族カルボン酸との配位結合によって構成される金属錯体を含み、該金属錯体の複数が集積して形成された細孔構造を有することを特徴とする多孔性金属錯体。
IPC (1件):
FI (1件):
Fターム (17件):
4G066AA02A
, 4G066AB07A
, 4G066AB10D
, 4G066AB24B
, 4G066BA25
, 4G066BA36
, 4G066CA38
, 4H048AA01
, 4H048AA02
, 4H048AA05
, 4H048AC47
, 4H048BB20
, 4H048VA20
, 4H048VA80
, 4H048VB10
, 4H048VB80
, 4H048VB90
引用特許:
引用文献:
前のページに戻る