特許
J-GLOBAL ID：200903069638716424
埋め込み拡散エピタキシャルウエーハの製造方法および埋め込み拡散エピタキシャルウエーハ
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
好宮 幹夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-343055
公開番号（公開出願番号）：特開2007-150001
出願日： 2005年11月29日
公開日（公表日）： 2007年06月14日
要約：
【課題】シリコンエピタキシャル層に結晶欠陥が発生するのを効果的に防止することができる埋め込み拡散エピタキシャルウエーハの製造方法および埋め込み拡散エピタキシャルウエーハを提供する。【解決手段】シリコン単結晶ウエーハ2に不純物を注入したあと拡散させて拡散層3を形成し、少なくとも該拡散層上の酸化膜5,8を除去した後、シリコンエピタキシャル層4を積層して埋め込み拡散層3 ́を有するシリコンエピタキシャルウエーハ1を製造する。少なくとも、前記拡散層上の酸化膜5,8の除去を、界面活性剤を添加したフッ酸によりエッチング除去するものとし、その後に前記シリコンエピタキシャル層4を積層する。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
シリコン単結晶ウエーハに不純物を注入したあと拡散させて拡散層を形成し、少なくとも該拡散層上の酸化膜を除去した後、シリコンエピタキシャル層を積層して埋め込み拡散層を有するシリコンエピタキシャルウエーハを製造する方法であって、少なくとも、前記拡散層上の酸化膜の除去を、界面活性剤を添加したフッ酸によりエッチング除去するものとし、その後に前記シリコンエピタキシャル層を積層することを特徴とする埋め込み拡散エピタキシャルウエーハの製造方法。
IPC (2件)：
H01L 21/205
, H01L 21/306
H01L21/205
, H01L21/306 D
5F043AA32
, 5F043BB22
, 5F043BB28
, 5F045AA03
, 5F045AB02
, 5F045AC05
, 5F045BB12
, 5F045HA04
, 5F045HA05
, 5F045HA06
, 5F045HA10
出願人引用 (1件)
審査官引用 (6件)
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引用文献：
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