特許
J-GLOBAL ID:201003015679112442

高K誘電体を有するCMUT

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (2件): 津軽 進 ,  笛田 秀仙
公報種別:公表公報
出願番号(国際出願番号):特願2010-518802
公開番号(公開出願番号):特表2010-535445
出願日: 2008年07月31日
公開日(公表日): 2010年11月18日
要約:
容量性超音波トランスデューサは、第1の電極と、第2の電極と、第1の電極と崩壊可能に離間された関係に配置される中央領域及び中央領域の外側に配置され、第2の電極と崩壊可能に離間された関係に配置される周辺領域を有する第3の電極と、を有する。トランスデューサは、第3の電極と第1の電極との間及び第3の電極と第2の電極との間に配置される高誘電率材料の層を更に含む。トランスデューサは、崩壊モードで動作可能でありえ、崩壊モードにおいて、第3の電極の周辺領域は、第2の電極に対して振動し、第3の電極の中央領域は、第1の電極に対して完全に崩壊され、それにより、誘電層が、それらの間にサンドイッチされる。圧電作動、例えばd31及びd33モード圧電作動、が更に含まれうる。医用撮像システムは、共通基板上に配置されるこのような容量性超音波トランスデューサのアレイを有する。
請求項(抜粋):
容量性超音波トランスデューサであって、 第1の電極と、 第2の電極と、 前記第1の電極と崩壊可能に離間された関係に配置される中央領域と、前記中央領域の外側に配置され、前記第2の電極と崩壊可能に離間された関係に配置される周辺領域と、を有する第3の電極と、 前記第3の電極と前記第1の電極との間及び前記第3の電極と前記第2の電極との間に配置される高誘電率材料の層と、 を有する容量性超音波トランスデューサ。
IPC (8件):
H04R 19/00 ,  H01L 41/09 ,  H01L 41/18 ,  H01L 41/187 ,  H01L 41/08 ,  B81B 3/00 ,  H04R 17/00 ,  H04R 31/00
FI (10件):
H04R19/00 330 ,  H01L41/08 C ,  H01L41/18 101Z ,  H01L41/18 101B ,  H01L41/18 101D ,  H01L41/08 D ,  B81B3/00 ,  H04R17/00 330Z ,  H04R31/00 C ,  H04R31/00 330
Fターム (11件):
3C081AA13 ,  3C081BA11 ,  3C081BA45 ,  3C081BA48 ,  3C081BA55 ,  3C081DA30 ,  3C081EA39 ,  5D019AA20 ,  5D019DD01 ,  5D019FF04 ,  5D019HH02
引用特許:
出願人引用 (8件)
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審査官引用 (8件)
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