特許
J-GLOBAL ID：201003017092802600

撮像装置の製造方法、撮像装置及び携帯端末

発明者：
真島 雅尚

真島 雅尚 について


出願人/特許権者：
コニカミノルタオプト株式会社

コニカミノルタオプト株式会社 について


公報種別：再公表公報
出願番号（国際出願番号）：JP2008061450
公開番号（公開出願番号）：WO2009-008259
出願日： 2008年06月24日
公開日（公表日）： 2009年01月15日
要約：
複数の撮像装置を一体的に形成した後、切断分離して、個々の撮像装置とするに際し、分離後であってもイメージセンサの方向等を容易に識別でき、更に、一体的に形成した際の、どの位置で形成された撮像装置であるかを識別可能とするために、シリコンウェハの一方の面に複数の撮像素子を形成する工程と、撮像素子毎に、撮像光学系で受光画素部を封止する工程と、シリコンウェハを撮像素子毎に切断する工程と、切断された複数の撮像素子を基板上に載置する工程と、基板と複数の撮像素子を電気的に接続する工程と、複数の撮像素子毎に識別マークが形成された金型により、基板と撮像光学系と撮像素子とを一体的にモールディングする工程と、モールディングされた基板を撮像素子毎に切断分離する工程と、を有する撮像装置の製造方法とする。
請求項（抜粋）：
光学部材で構成された撮像光学系と、複数の受光画素部が形成され前記撮像光学系により導かれた被写体光を光電変換する撮像素子と、を有する撮像装置の製造方法において、 シリコンウェハの一方の面に複数の前記撮像素子を形成する工程と、 前記撮像素子毎に、前記撮像光学系で前記受光画素部を封止する工程と、 前記シリコンウェハを前記撮像素子毎に切断する工程と、 切断された複数の前記撮像素子を基板上に載置する工程と、 前記基板と複数の前記撮像素子を電気的に接続する工程と、 複数の前記撮像素子毎に識別マークが形成された金型により、前記基板と前記撮像光学系と前記撮像素子とを一体的にモールディングする工程と、 前記モールディングされた前記基板を前記撮像素子毎に切断分離する工程と、を有することを特徴とする撮像装置の製造方法。
IPC (5件)：
H01L 27/14 ,  H04N 5/335 ,  H01L 23/02 ,  H01L 23/08 ,  H01L 23/28
FI (5件)：
H01L27/14 D ,  H04N5/335 V ,  H01L23/02 F ,  H01L23/08 A ,  H01L23/28 D
Fターム (22件)：
4M109AA01 ,  4M109CA21 ,  4M109EE12 ,  4M109GA01 ,  4M118AA10 ,  4M118AB01 ,  4M118BA10 ,  4M118BA14 ,  4M118CA01 ,  4M118FA06 ,  4M118GA09 ,  4M118GC11 ,  4M118GD03 ,  4M118GD20 ,  4M118HA24 ,  4M118HA30 ,  4M118HA31 ,  5C024CY47 ,  5C024CY48 ,  5C024CY49 ,  5C024EX22 ,  5C024EX42
引用特許：
出願人引用 (3件)

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