特許
J-GLOBAL ID：201003017094583809
半導体発光素子
発明者：
,
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出願人/特許権者：
代理人 (7件)：
深見 久郎
, 森田 俊雄
, 仲村 義平
, 堀井 豊
, 野田 久登
, 酒井 將行
, 荒川 伸夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-248530
公開番号（公開出願番号）：特開2010-080741
出願日： 2008年09月26日
公開日（公表日）： 2010年04月08日
要約：
【課題】表面プラズモンを確実に利用して改善された発光効率を有する半導体発光素子を提供する。【解決手段】半導体発光素子では、基板上においてn型半導体を含む第1下部層、p型半導体を含む第2下部層、活性層、およびn型半導体を含む上部層がこの順に積層されており、基板または第1下部層に接して第1のn型用電極が設けられており、上部層上に接して第2のn型用電極が設けられており、上部層は40nm以下の厚さを有し、上部層に接する第2のn型用電極の界面は、活性層から生じた光によって表面プラズモンが励起され得る金属を含むことを特徴としている。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
基板上においてn型半導体を含む第1下部層、p型半導体を含む第2下部層、活性層、およびn型半導体を含む上部層がこの順に積層されており、
前記基板または前記第1下部層に接して第1のn型用電極が設けられており、
前記上部層上に接して第2のn型用電極が設けられており、
前記上部層は40nm以下の厚さを有し、
前記上部層に接する前記第2のn型用電極の界面は、前記活性層から生じた光によって表面プラズモンが励起され得る金属を含むことを特徴とする半導体発光素子。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (6件)：
5F041AA03
, 5F041CA05
, 5F041CA40
, 5F041CA46
, 5F041CA65
, 5F041CA83
出願人引用 (1件)
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半導体発光素子
公報種別：公開公報
出願番号：特願2003-337701
出願人：三洋電機株式会社
審査官引用 (1件)
引用文献：
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