特許

J-GLOBAL ID：200903035953979652

磁気メモリ素子及び磁気メモリ装置

発明者： 前川 禎通 ,  高橋 三郎 ,  今村 裕志 ,  市村 雅彦 ,  高橋 宏昌
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所 ,  国立大学法人東北大学
代理人 (1件)： 平木 祐輔
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-002577
公開番号（公開出願番号）：特開2008-171945
出願日： 2007年01月10日
公開日（公表日）： 2008年07月24日
要約：

【課題】メモリセルへの書き込みに反転磁場を利用しない磁化反転過程を用いる際、記憶セルの熱揺らぎを低減し、書き込み動作を安定に実現する。【解決手段】非磁性領域11の一つの面に離間して第1の磁化固定端子13と第2の磁化固定端子14を接続し、他の面に磁化自由端子15を接続した構造を有する。第1の磁化固定端子の磁化の向きと第2の磁化固定端子の磁化の向きは反平行である。非磁性領域を介して第1の磁化固定端子と第2の磁化固定端子の間に流す電流の極性を制御して磁化自由端子の磁化を反転させることにより書き込みを行い、第1の磁化固定端子及び磁化自由端子間の相対磁化の向きの変化に伴う磁気抵抗を検出して読み出しを行う。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

非磁性領域と、 前記非磁性領域の一つの面に離間して接続された第1の磁化固定端子及び第2の磁化固定端子と、 前記非磁性領域の前記第1の磁化固定端子及び第2の磁化固定端子が接続された面と異なる面に接続された磁化自由端子とを有し、 前記第1の磁化固定端子の磁化の向きと第2の磁化固定端子の磁化の向きが反平行であり、 前記非磁性領域を介して前記第1の磁化固定端子と第2の磁化固定端子の間に流す電流の極性を制御して前記磁化自由端子の磁化を反転させることにより書き込みを行うことを特徴とする磁気メモリ素子。

IPC (5件)：

H01L 21/824 ,  H01L 27/105 ,  H01L 29/82 ,  H01L 43/08 ,  G11C 11/15

FI (4件)：

H01L27/10 447 ,  H01L29/82 Z ,  H01L43/08 Z ,  G11C11/15 110

Fターム (22件)：

4M119AA03 ,  4M119BB01 ,  4M119BB03 ,  4M119CC05 ,  4M119DD02 ,  4M119DD33 ,  4M119DD42 ,  4M119DD45 ,  4M119EE23 ,  4M119EE27 ,  4M119FF05 ,  4M119FF16 ,  4M119GG07 ,  4M119HH01 ,  4M119HH07 ,  5F092AB08 ,  5F092AC12 ,  5F092AC23 ,  5F092BB22 ,  5F092BB23 ,  5F092BB35 ,  5F092BB36

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 記憶素子、メモリ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-340902   出願人：ソニー株式会社

審査官引用 (4件)

• スピントルクトランジスタ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2006-256387   出願人：TDK株式会社
• スピン注入素子及びそれを用いた磁気装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-180130   出願人：独立行政法人科学技術振興機構
• スピン注入型磁気抵抗効果素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-087950   出願人：ソニー株式会社
• 磁気メモリ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2006-144513   出願人：TDK株式会社