縦型のショットキーダイオード

発明者： , , , , ,
出願人/特許権者： , ,
代理人 (1件)：特許業務法人快友国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-160933
公開番号（公開出願番号）：特開2010-003841
出願日： 2008年06月19日
公開日（公表日）： 2010年01月07日
要約：

【課題】縦型のショットキーダイオードの局所的な過熱を抑制する技術を提供する。【解決方法】半導体基板8の表裏両面にカソード電極10とアノード電極60が分かれて形成されている縦型のショットキーダイオード1であり、アノード・カソード間抵抗が低い構造とアノード・カソード間抵抗が高い構造の両者が形成されている。半導体基板8を平面視して2区画80,82に分割したときに、区画によって低抵抗構造と高抵抗構造が形成されている範囲の比率が相違し、区画によって平均抵抗値が変えられている。過熱しやすい区画における平均電流密度が下がり、局所的過熱が防止され、熱暴走の発生が防止される。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

半導体基板の表裏両面にアノード電極とカソード電極が分かれて形成されている縦型のショットキーダイオードであり、半導体基板を平面視したときに、アノード・カソード間抵抗を高める高抵抗構造が範囲を限って形成されており、終端耐圧領域によって取り囲まれている有効領域を2区画に分割したときに、区画内の単位面積当たりのアノード・カソード間抵抗の平均値が、区画によって異なっていることを特徴とする縦型のショットキーダイオード。

IPC (2件)：

H01L 29/47 , H01L 29/872

FI (1件)：

H01L29/48 F

Fターム (18件)：

4M104AA01 , 4M104AA03 , 4M104BB05 , 4M104BB14 , 4M104BB21 , 4M104CC01 , 4M104CC03 , 4M104DD34 , 4M104DD37 , 4M104DD79 , 4M104DD84 , 4M104FF13 , 4M104FF31 , 4M104FF32 , 4M104FF35 , 4M104FF40 , 4M104GG03 , 4M104HH20

引用特許：

出願人引用 (1件)

ショットキーバリアダイオードの製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-240173 出願人：富士電機株式会社

審査官引用 (4件)

特開平2-137368
半導体素子および半導体素子への結線方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-308756 出願人：松下電器産業株式会社
ダイオード
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-297497 出願人：富士電機株式会社

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