特許
J-GLOBAL ID：201103099382471717

電流サージ能力を有する接合型バリアショットキーダイオード

発明者：
チャン、チンチュン

チャン、チンチュン について

, 
リュウ、セ - ヒョン

リュウ、セ - ヒョン について


出願人/特許権者：
クリー インコーポレイテッド

クリー インコーポレイテッド について


代理人 (8件)： 特許業務法人浅村特許事務所 ,  浅村 皓 ,  浅村 肇 ,  大日方 和幸 ,  林 鉐三 ,  清水 邦明 ,  畑中 孝之 ,  岩見 晶啓
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-510504
公開番号（公開出願番号）：特表2011-521471
出願日： 2009年05月19日
公開日（公表日）： 2011年07月21日
要約：
電子デバイスは、第1の導電型を有するシリコンカーバイドのドリフト領域と、ドリフト領域の上に設けられたショットキーコンタクトと、ショットキーコンタクトに隣接するドリフト領域の表面に設けられた複数の接合型バリアショットキー(JBS)領域とを備える。JBS領域は、第1の導電型と反対の第2の導電型を有すると共に、JBS領域のうちの隣接する領域の間に第1の隙間を有する。このデバイスは、更に第2の導電型を有する複数のサージ保護サブ領域を備え、これらサージ保護サブ領域の各々は、第1の隙間よりも狭い、第2の隙間をサージ保護サブ領域のうちの隣接するサブ領域の間に有する。
請求項（抜粋）：
第1の導電型を有するシリコンカーバイドのドリフト領域と、 前記ドリフト領域の上に設けられたショットキーコンタクトと、 前記ショットキーコンタクトに隣接する前記ドリフト領域の表面に設けられた複数の接合型バリアショットキー(JBS)領域であって、このJBS領域は、前記第1の導電型と反対の第2の導電型を有すると共に、第1の幅および前記JBS領域のうちの隣接する領域の間に第1の隙間を有するJBS領域と、 前記ショットキーコンタクトに隣接する前記ドリフト領域の表面に設けられたサージ保護領域であって、このサージ保護領域は、前記第1の幅よりも広い第2の幅を有し、前記第2の導電型を有する複数のサージ保護サブ領域を含み、これらサージ保護サブ領域の各々は、前記第1の幅よりも狭い第3の幅を有し、前記JBS領域のうちの隣接する領域の間の前記第1の隙間よりも狭い、第2隙間を前記サージ保護サブ領域のうちの隣接するサブ領域の間に有するサージ保護領域と、 を備えたショットキーダイオード。
IPC (2件)：
H01L 29/47 ,  H01L 29/872
FI (2件)：
H01L29/48 F ,  H01L29/48 D
Fターム (16件)：
4M104AA01 ,  4M104AA02 ,  4M104AA03 ,  4M104AA04 ,  4M104AA05 ,  4M104BB02 ,  4M104BB05 ,  4M104BB14 ,  4M104DD26 ,  4M104DD94 ,  4M104FF27 ,  4M104FF32 ,  4M104FF35 ,  4M104GG03 ,  4M104GG18 ,  4M104HH20
引用特許：
出願人引用 (8件)
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審査官引用 (9件)
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