絶縁ゲート型半導体装置の製造方法

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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-067161
公開番号（公開出願番号）：特開2010-219455
出願日： 2009年03月19日
公開日（公表日）： 2010年09月30日
要約：

【課題】非ヒステリシストランジスタとヒステリシストランジスタとを混載する場合において、欠陥や不純物混入リスクの少ない良好な基板界面を保ったまま、同一材料の絶縁膜を用いて、ヒステリシストランジスタと非ヒステリシストランジスタとを同一基板上に混載することができる絶縁ゲート型半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】第1及び第2のトランジスタ形成領域上に第1のトランジスタにヒステリシス特性を与える絶縁膜1を形成し、これを第1のトランジスタのゲート絶縁1膜とする工程、及び、第2のトランジスタ形成領域上の絶縁膜1を部分的にエッチング除去することにより、第2のトランジスタにヒステリシス特性を与えない絶縁膜とし、これを第2のトランジスタのゲート絶縁膜とする工程を含む。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

第1及び第2のトランジスタ形成領域上に第1のトランジスタにヒステリシス特性を与える絶縁膜を形成し、これを第1のトランジスタのゲート絶縁膜とする工程及び第2のトランジスタ形成領域上の該絶縁膜を部分的にエッチング除去することにより第2のトランジスタにヒステリシス特性を与えない絶縁膜とし、これを第2のトランジスタのゲート絶縁膜とする工程を含むことを特徴とする絶縁ゲート型半導体装置の製造方法。

IPC (10件)：

H01L 21/824 , H01L 27/105 , H01L 27/10 , H01L 27/28 , H01L 51/05 , H01L 29/788 , H01L 29/792 , H01L 21/823 , H01L 27/088 , H01L 21/314

FI (6件)：

H01L27/10 444A , H01L27/10 461 , H01L27/10 449 , H01L29/78 371 , H01L27/08 102C , H01L21/314 M

Fターム (42件)：

5F048AB01 , 5F048AB03 , 5F048AC01 , 5F048BA01 , 5F048BB09 , 5F048BB11 , 5F048BB16 , 5F048BB17 , 5F048BG13 , 5F048DA24 , 5F058BA11 , 5F058BC03 , 5F058BD05 , 5F058BJ01 , 5F083FR05 , 5F083FR06 , 5F083FZ07 , 5F083GA25 , 5F083GA27 , 5F083JA02 , 5F083JA03 , 5F083JA12 , 5F083JA13 , 5F083JA15 , 5F083JA17 , 5F083JA38 , 5F083JA60 , 5F083PR45 , 5F083PR55 , 5F083ZA07 , 5F083ZA12 , 5F083ZA13 , 5F083ZA15 , 5F101BA62 , 5F101BB02 , 5F101BD02 , 5F101BD21 , 5F101BD35 , 5F101BE07 , 5F101BF01 , 5F101BG10 , 5F101BH21

引用特許：

審査官引用 (3件)

半導体素子及びそれを用いた半導体記憶装置、及びそのデータ書込み方法、データ読出し方法、及びそれらの製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2006-229896 出願人：富士通株式会社, 国立大学法人東京工業大学
半導体記憶装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2004-118709 出願人：株式会社ルネサステクノロジ
半導体装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-360241 出願人：日本電気株式会社

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