特許
J-GLOBAL ID：201003019178711341

化合物半導体装置及びその製造方法

発明者：
今田 忠紘

今田 忠紘 について

, 
山田 敦史

山田 敦史 について


出願人/特許権者：
富士通株式会社

富士通株式会社 について


代理人 (1件)： 國分 孝悦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-334793
公開番号（公開出願番号）：特開2010-157602
出願日： 2008年12月26日
公開日（公表日）： 2010年07月15日
要約：
【課題】オフ時のリーク電流を低減することができ、好ましくは高い閾値電圧を得ることができる化合物半導体装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】i-GaN層5(電子走行層)と、i-GaN層5(電子走行層)上方に形成されたn-GaN層7(化合物半導体層)と、n-GaN層7(化合物半導体層)上方に形成されたソース電極21s、ドレイン電極21d及びゲート電極21gと、が設けられている。そして、n-GaN層7(化合物半導体層)のソース電極21sとドレイン電極21dとの間の領域内でゲート電極21gから離間した部分にリセス部7a(凹部)が形成されている。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
電子走行層と、 前記電子走行層上方に形成された化合物半導体層と、 前記化合物半導体層上方に形成されたソース電極、ドレイン電極及びゲート電極と、 を有し、 前記化合物半導体層の前記ソース電極と前記ドレイン電極との間の領域内で前記ゲート電極から離間した部分に凹部が形成されていることを特徴とする化合物半導体装置。
IPC (4件)：
H01L 29/80 ,  H01L 21/338 ,  H01L 29/778 ,  H01L 29/812
FI (2件)：
H01L29/80 W ,  H01L29/80 H
Fターム (29件)：
5F102FA00 ,  5F102FA08 ,  5F102GB01 ,  5F102GC05 ,  5F102GD01 ,  5F102GD10 ,  5F102GJ02 ,  5F102GJ03 ,  5F102GJ04 ,  5F102GJ05 ,  5F102GJ10 ,  5F102GK04 ,  5F102GK08 ,  5F102GL04 ,  5F102GL07 ,  5F102GM04 ,  5F102GQ01 ,  5F102GR04 ,  5F102GR06 ,  5F102GR11 ,  5F102GS08 ,  5F102GT01 ,  5F102GT06 ,  5F102GV08 ,  5F102HC01 ,  5F102HC10 ,  5F102HC11 ,  5F102HC15 ,  5F102HC19
引用特許：
出願人引用 (5件)
  • 半導体装置とその製造方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-330123   出願人：株式会社豊田中央研究所, トヨタ自動車株式会社
  • 国際公開第2006/001369号パンフレット
  • 半導体装置及びその製造方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-101822   出願人：ユーディナデバイス株式会社
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審査官引用 (3件)

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