特許
J-GLOBAL ID：200903064826871176

電界効果トランジスタ

発明者：
ジョン・トワイナム

ジョン・トワイナム について


出願人/特許権者：
シャープ株式会社

シャープ株式会社 について


代理人 (3件)： 山崎 宏 ,  田中 光雄 ,  仲倉 幸典
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-294494
公開番号（公開出願番号）：特開2007-150282
出願日： 2006年10月30日
公開日（公表日）： 2007年06月14日
要約：
【課題】ゲートの遷移電流や漏れ電流が小さく、ピンチオフ電圧が安定な電界効果トランジスタを提供すること。【解決手段】半導体層3上でこの半導体層3の表面に沿って互いに離間した位置に、それぞれ金属電極を有するソース5、第1ゲート6、第2ゲート7、ドレイン8をこの順に備える。第1ゲート6はノーマリオフ、第2ゲート7はノーマリオンになっている。第1ゲート6はショットキ型であり、第2ゲート7はMIS型である。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
半導体層上でこの半導体層の表面に沿って互いに離間した位置に、それぞれ金属電極を有するソース、第1ゲート、第2ゲート、ドレインをこの順に備え、 上記第1ゲートはノーマリオフ、上記第2ゲートはノーマリオンになっており、 上記第1ゲートはショットキ型であり、上記第2ゲートはMIS型であることを特徴とする電界効果トランジスタ。
IPC (10件)：
H01L 29/80 ,  H01L 27/095 ,  H01L 21/823 ,  H01L 27/088 ,  H01L 29/812 ,  H01L 29/778 ,  H01L 21/338 ,  H01L 27/06 ,  H01L 29/423 ,  H01L 29/41
FI (8件)：
H01L29/80 W ,  H01L29/80 E ,  H01L27/08 102C ,  H01L29/80 H ,  H01L29/80 F ,  H01L27/06 F ,  H01L29/58 Z ,  H01L29/44 L
Fターム (40件)：
4M104AA04 ,  4M104BB14 ,  4M104BB15 ,  4M104BB33 ,  4M104CC03 ,  4M104CC05 ,  4M104EE01 ,  4M104EE03 ,  4M104EE16 ,  4M104FF06 ,  4M104FF13 ,  4M104GG12 ,  5F048AC09 ,  5F048BA02 ,  5F048BA15 ,  5F048BA16 ,  5F048BB01 ,  5F048BB02 ,  5F048BB11 ,  5F048BD09 ,  5F102FA00 ,  5F102FA01 ,  5F102GA05 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GC05 ,  5F102GD01 ,  5F102GD10 ,  5F102GJ10 ,  5F102GK04 ,  5F102GL04 ,  5F102GM04 ,  5F102GR04 ,  5F102GS01 ,  5F102GT01 ,  5F102GT03 ,  5F102GT05 ,  5F102GV01 ,  5F102GV05 ,  5F102HC15
引用特許：
審査官引用 (11件)
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