特許
J-GLOBAL ID：201003019181743033

プラズマ処理装置及びプラズマ分布の制御方法

発明者：
岩田 学

岩田 学 について


出願人/特許権者：
東京エレクトロン株式会社

東京エレクトロン株式会社 について


代理人 (1件)： 田中 正男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-006000
公開番号（公開出願番号）：特開2010-165798
出願日： 2009年01月14日
公開日（公表日）： 2010年07月29日
要約：
【課題】プラズマ密度の分布特性を制御することで、プラズマ処理の均一性と歩留まりの向上を実現可能なプラズマ処理装置を提供することを目的とする。【解決手段】内部が真空に保持可能な処理室を含む処理容器と、該処理室で基板を載置するとともに下部電極を兼ねた載置台と、前記基板の周縁を囲むように配され、前記載置台により一端が支持され、他端が前記処理容器の構成部材で支持された円環状部材と、前記下部電極に対向してその上方に配置される上部電極と、前記載置台に高周波電力を供給する給電体とを備え、前記処理室で発生するプラズマにより前記基板にプラズマ処理を施すプラズマ処理装置において、前記円環状部材の中間を支持する前記処理容器の構成部材であって、前記処理室外に延在する第1の中間導電体と、前記給電体とを電気的に接続又は非接続可能とする第1の可動導電体を有している。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
内部が真空に保持可能な処理室を含む処理容器と、該処理室で基板を載置するとともに下部電極を兼ねた載置台と、前記基板の周縁を囲むように配され、前記載置台により一端が支持され、他端が前記処理容器の構成部材で支持された円環状部材と、前記下部電極に対向してその上方に配置される上部電極と、前記載置台に高周波電力を供給する給電体とを備え、前記処理室で発生するプラズマにより前記基板にプラズマ処理を施すプラズマ処理装置において、 前記円環状部材の中間を支持する前記処理容器の構成部材であって、前記処理室外に延在する第1の中間導電体と、前記給電体とを電気的に接続又は非接続可能とする第1の可動導電体を備えたことを特徴とするプラズマ処理装置。
IPC (7件)：
H01L 21/306 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/31 ,  H01L 21/316 ,  H01L 21/318 ,  C23C 16/509 ,  H05H 1/46
FI (8件)：
H01L21/302 101B ,  H01L21/205 ,  H01L21/31 C ,  H01L21/316 A ,  H01L21/318 A ,  H01L21/31 A ,  C23C16/509 ,  H05H1/46 M
Fターム (42件)：
4K030CA04 ,  4K030CA12 ,  4K030FA03 ,  4K030KA15 ,  4K030KA18 ,  4K030LA15 ,  5F004AA01 ,  5F004BA06 ,  5F004BA09 ,  5F004BB13 ,  5F004BB22 ,  5F004BB23 ,  5F004BC08 ,  5F004BD04 ,  5F004BD05 ,  5F004CA06 ,  5F004CA09 ,  5F045AA08 ,  5F045AA19 ,  5F045BB02 ,  5F045DP03 ,  5F045DQ10 ,  5F045EB02 ,  5F045EC01 ,  5F045EF05 ,  5F045EH06 ,  5F045EH14 ,  5F045EH19 ,  5F045EM05 ,  5F045EM09 ,  5F058BA20 ,  5F058BC01 ,  5F058BC02 ,  5F058BC07 ,  5F058BC08 ,  5F058BD03 ,  5F058BD04 ,  5F058BD09 ,  5F058BD10 ,  5F058BF73 ,  5F058BF74 ,  5F058BJ01
引用特許：
審査官引用 (5件)
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