特許
J-GLOBAL ID：200903002250137590
プラズマ処理装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
佐々木 聖孝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-077402
公開番号（公開出願番号）：特開2009-231687
出願日： 2008年03月25日
公開日（公表日）： 2009年10月08日
要約：
【課題】容量結合型のプラズマ処理装置においてプラズマ密度分布の容易かつ自在な制御を可能とし、プラズマプロセスの均一性や歩留まりを向上させること。【解決手段】このプラズマエッチング装置は、第1高周波電源34からの第1高周波(たとえば60MHz)をサセプタ中心電極12Aおよびサセプタ周辺電極12Bに所望の比率で分配供給し、第2高周波電源36からの第2高周波(たとえば2MHz)を主としてサセプタ中心電極12Aのみに供給するための下部2周波給電機構7を備えている。この下部2周波給電機構70は、中心給電棒32と、下部周辺給電導体72と、可動給電導体74と、この可動給電導体74を昇降移動させるアクチエータ76とを有している。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
真空排気可能な処理容器と、
前記処理容器内で被処理基板を載置する下部中心電極と、
前記下部中心電極から電気的に絶縁して前記下部中心電極の外周を環状に囲む下部周辺電極と、
前記下部中心電極および前記下部周辺電極と対向してその上方に配置される上部電極と、
前記下部中心電極および前記下部周辺電極と前記上部電極との間の処理空間に処理ガスを供給する処理ガス供給部と、
主として前記処理ガスのプラズマを生成するための第1高周波を出力する第1高周波電源と、
主として前記プラズマ中のイオンを前記被処理体に引き込むための第2高周波を出力する第2高周波電源と、
前記第1高周波電源からの前記第1高周波および前記第2高周波電源からの前記第2高周波を前記下部中心電極に供給するために前記下部中心電極の背面に接続される中心給電導体と、
前記第1高周波電源からの前記第1高周波の一部をバイパスして前記下部周辺電極に供給するために前記下部周辺電極の背面に接続される周辺給電導体と、
一定範囲内で移動可能であり、前記第1高周波電源からの前記第1高周波に対して、前記中心給電導体と前記周辺給電導体とを容量結合で電気的に接続可能とする可動給電導体と
を有するプラズマ処理装置。
IPC (2件)：
H01L 21/306
, H01L 21/205
H01L21/302 101B
, H01L21/205
5F004AA01
, 5F004BA06
, 5F004BA09
, 5F004BB23
, 5F004BB29
, 5F004BD04
, 5F045AA08
, 5F045AA20
, 5F045AB32
, 5F045AB33
, 5F045DP03
, 5F045EH02
, 5F045EH14
, 5F045EH20
, 5F045EM02
出願人引用 (1件)
審査官引用 (7件)
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