特許
J-GLOBAL ID：200903071246761264
プラズマ処理装置及びプラズマ処理装置用の電極板及び電極板製造方法
発明者：
,
,
,
,
,
出願人/特許権者：
,
代理人 (1件)：
佐々木 聖孝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-025007
公開番号（公開出願番号）：特開2004-363552
出願日： 2004年02月02日
公開日（公表日）： 2004年12月24日
要約：
【課題】 プラズマ処理装置においてプラズマ密度の均一化を効率的に達成すること。【解決手段】 サセプタ12の主面上で凸部70は、上部電極側つまりプラズマ側に向って突出しているので、主面の底面部12aよりも低いインピーダンスでプラズマと電気的に結合する。このため、サセプタ12の主面の表面層を流れる高周波電流によって運ばれる高周波電力は主として凸部70の頂面からプラズマに向けて放出される。サセプタ12の主面上で凸部70のインピーダンスZ70と底面部12aのインピーダンスZ12aとの比率Z12a/Z70を大きくするために、凸部70の周り(底面部12aの上)に誘電体72が設けられる。【選択図】 図10
請求項（抜粋）：
減圧可能な処理容器内に第1の電極を設け、前記処理容器内に高周波電界を形成するとともに処理ガスを流し込んで前記処理ガスのプラズマを生成し、前記プラズマの下で被処理基板に所望のプラズマ処理を施すプラズマ処理装置であって、
前記第1の電極の主面に前記プラズマが生成される空間側に向って突出する多数の凸部を離散的に設けるプラズマ処理装置。
IPC (4件)：
H01L21/3065
, C23F4/00
, H01L21/205
, H05H1/46
H01L21/302 101B
, C23F4/00 A
, H01L21/205
, H05H1/46 M
4K057DA16
, 4K057DD01
, 4K057DM06
, 4K057DM16
, 4K057DM28
, 4K057DN01
, 5F004AA01
, 5F004BA06
, 5F004BA07
, 5F004BA08
, 5F004BB11
, 5F004BB22
, 5F004BB25
, 5F004BB28
, 5F004BB29
, 5F004BD03
, 5F004BD04
, 5F004BD05
, 5F004CA08
, 5F004CB07
, 5F045AA08
, 5F045BB01
, 5F045EH05
, 5F045EH08
, 5F045EH14
, 5F045EH16
, 5F045EH19
, 5F045EJ02
, 5F045EM02
, 5F045EM05
, 5F045EM09
, 5F045GB15
出願人引用 (17件)
全件表示
審査官引用 (16件)
全件表示
前のページに戻る
