半導体装置の作製方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-243735
公開番号（公開出願番号）：特開2010-123936
出願日： 2009年10月22日
公開日（公表日）： 2010年06月03日
要約：

【課題】露光マスク数を削減することでフォトリソグラフィ工程を簡略化し、酸化物半導体を有する半導体装置を低コストで生産性よく作製することを課題の一とする。【解決手段】チャネルエッチ構造の逆スタガ型薄膜トランジスタを有する半導体装置の作製方法において、透過した光が複数の強度となる露光マスクである多階調マスクによって形成されたマスク層を用いて酸化物半導体膜及び導電膜のエッチング工程を行う。エッチング工程は、エッチングガスによるドライエッチングを用いる。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

絶縁表面を有する基板上にゲート電極層を形成し、前記ゲート電極層上にゲート絶縁層、酸化物半導体膜、及び導電膜を積層し、前記ゲート絶縁層、前記酸化物半導体膜、及び前記導電膜上に第1のマスク層を形成し、前記第1のマスク層を用いて前記酸化物半導体膜、及び前記導電膜を第1のエッチング工程によりエッチングして、酸化物半導体層及び導電層を形成し、前記第1のマスク層をアッシングして第2のマスク層を形成し、前記第2のマスク層を用いて前記酸化物半導体層及び前記導電層を第2のエッチング工程によりエッチングして、凹部を有する酸化物半導体層、ソース電極層、及びドレイン電極層を形成し、前記第1のマスク層は露光マスクを用いて形成し、前記第1のエッチング工程及び前記第2のエッチング工程はエッチングガスによるドライエッチングを用い、前記凹部を有する酸化物半導体層において、前記ソース電極層及び前記ドレイン電極層と重なる領域の膜厚より薄い膜厚の領域を有することを特徴とする半導体装置の作製方法。

IPC (7件)：

H01L 21/336 , H01L 29/786 , H01L 21/28 , H01L 29/417 , H01L 21/306 , G02F 1/136 , H01L 51/50

FI (12件)：

H01L29/78 627C , H01L29/78 618B , H01L29/78 618C , H01L29/78 616K , H01L29/78 616U , H01L29/78 616V , H01L21/28 301B , H01L21/28 D , H01L29/50 M , H01L21/302 105A , G02F1/1368 , H05B33/14 A

Fターム (140件)：

2H092GA59 , 2H092JA26 , 2H092JA28 , 2H092JA34 , 2H092JA38 , 2H092JA41 , 2H092JA46 , 2H092JB56 , 2H092KA08 , 2H092KA12 , 2H092KA18 , 2H092MA05 , 2H092MA13 , 2H092MA14 , 2H092MA17 , 2H092MA29 , 2H092MA30 , 2H092NA22 , 2H092NA29 , 3K107AA01 , 3K107BB01 , 3K107CC31 , 3K107CC45 , 3K107EE04 , 3K107FF04 , 3K107FF15 , 3K107GG13 , 3K107GG28 , 3K107GG33 , 3K107HH05 , 4M104AA03 , 4M104AA08 , 4M104AA09 , 4M104BB02 , 4M104BB03 , 4M104BB04 , 4M104BB13 , 4M104BB14 , 4M104BB16 , 4M104BB17 , 4M104BB18 , 4M104BB29 , 4M104BB30 , 4M104BB31 , 4M104BB32 , 4M104BB33 , 4M104BB36 , 4M104CC01 , 4M104DD22 , 4M104DD34 , 4M104DD37 , 4M104DD62 , 4M104DD66 , 4M104DD67 , 4M104DD71 , 4M104GG04 , 4M104GG09 , 4M104GG14 , 5F004BA04 , 5F004DA01 , 5F004DA04 , 5F004DA05 , 5F004DA11 , 5F004DA13 , 5F004DA16 , 5F004DA17 , 5F004DA18 , 5F004DA22 , 5F004DA23 , 5F004DA26 , 5F004DB00 , 5F004DB30 , 5F004DB31 , 5F004EA28 , 5F110AA16 , 5F110BB02 , 5F110CC07 , 5F110DD01 , 5F110DD02 , 5F110DD13 , 5F110DD14 , 5F110DD15 , 5F110DD17 , 5F110EE01 , 5F110EE02 , 5F110EE03 , 5F110EE04 , 5F110EE14 , 5F110EE15 , 5F110EE23 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110FF04 , 5F110FF28 , 5F110FF29 , 5F110FF30 , 5F110GG01 , 5F110GG22 , 5F110GG25 , 5F110GG43 , 5F110GG57 , 5F110GG58 , 5F110HK01 , 5F110HK02 , 5F110HK03 , 5F110HK04 , 5F110HK06 , 5F110HK08 , 5F110HK15 , 5F110HK16 , 5F110HK17 , 5F110HK21 , 5F110HK22 , 5F110HK32 , 5F110HK33 , 5F110HK41 , 5F110HL01 , 5F110HL07 , 5F110HL09 , 5F110HL22 , 5F110HL23 , 5F110HM02 , 5F110HM04 , 5F110HM12 , 5F110NN03 , 5F110NN22 , 5F110NN23 , 5F110NN24 , 5F110NN25 , 5F110NN27 , 5F110NN33 , 5F110NN34 , 5F110NN36 , 5F110NN40 , 5F110NN71 , 5F110NN72 , 5F110NN73 , 5F110QQ02 , 5F110QQ04 , 5F110QQ09

引用特許：

審査官引用 (4件)

フォトレジスト組成物及びこれを用いる薄膜トランジスタ基板の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2006-224979 出願人：三星電子株式会社, 東進セミケム株式会社
亜鉛酸化物の加工方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2004-094319 出願人：カシオ計算機株式会社
液晶表示装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-061090 出願人：株式会社日立製作所

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