半導体装置及びその製造方法

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：真田有
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-086796
公開番号（公開出願番号）：特開2010-166084
出願日： 2010年04月05日
公開日（公表日）： 2010年07月29日
要約：

【課題】半導体装置において、デバイス特性及び信頼性を向上させる。【解決手段】半導体装置を、半導体基板6上に形成された化合物半導体積層構造1と、少なくとも化合物半導体積層構造1の表面に露出している部分を覆う第1絶縁膜4と、第1絶縁膜4上に形成された第2絶縁膜5とを備えるものとし、第1絶縁膜4を、引張応力が作用する膜とし、第2絶縁膜5を、第1絶縁膜4よりも水素を多く含んでおり、引張応力が作用する膜とする。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

半導体基板上に積層された複数の化合物半導体層からなる化合物半導体積層構造と、少なくとも前記化合物半導体積層構造を構成する化合物半導体層の表面に露出している部分を覆う第1絶縁膜と、前記第1絶縁膜上に形成された第2絶縁膜とを備え、前記第1絶縁膜は、引張応力が作用する膜であり、前記第2絶縁膜は、前記第1絶縁膜よりも水素を多く含んでおり、引張応力が作用する膜であることを特徴とする半導体装置。

IPC (6件)：

H01L 21/338 , H01L 29/778 , H01L 29/812 , H01L 21/318 , C23C 16/42 , C23C 16/505

FI (5件)：

H01L29/80 H , H01L21/318 B , H01L21/318 M , C23C16/42 , C23C16/505

Fターム (32件)：

4K030AA06 , 4K030AA13 , 4K030AA18 , 4K030BA40 , 4K030FA01 , 4K030JA18 , 5F058BA07 , 5F058BA20 , 5F058BB01 , 5F058BC08 , 5F058BD02 , 5F058BD10 , 5F058BF07 , 5F058BF23 , 5F058BF30 , 5F058BJ03 , 5F102FA03 , 5F102GB01 , 5F102GC01 , 5F102GD01 , 5F102GJ02 , 5F102GL04 , 5F102GM04 , 5F102GN04 , 5F102GQ01 , 5F102GR04 , 5F102GS01 , 5F102GS04 , 5F102GT03 , 5F102GV06 , 5F102GV08 , 5F102HC15

引用特許：

審査官引用 (7件)

化合物半導体装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2006-137516 出願人：富士通株式会社
半導体装置および半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2004-098599 出願人：ユーディナデバイス株式会社
特開平2-097015

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