特許
J-GLOBAL ID：200903053115224605

化合物半導体装置及びその製造方法

発明者：
牧山 剛三

牧山 剛三 について


出願人/特許権者：
富士通株式会社

富士通株式会社 について


代理人 (4件)： 眞鍋 潔 ,  柏谷 昭司 ,  渡邊 弘一 ,  伊藤 壽郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-137516
公開番号（公開出願番号）：特開2007-311464
出願日： 2006年05月17日
公開日（公表日）： 2007年11月29日
要約：
【課題】 化合物半導体装置及びその製造方法に関し、パッシベーション効果を保ったままで絶縁膜とレジストとの密着性を改善して、デバイス特性及び信頼性を向上する。【解決手段】 化合物半導体基体1の表面の少なくとも一部を化合物半導体基体1に接する側4の被覆性が表面側3より高く、且つ、表面側3のレジスト膜に対する密着性が化合物半導体基体1に接する側4より高い窒化珪素系絶縁膜2で被覆する。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
化合物半導体基体の表面の少なくとも一部を窒化珪素系絶縁膜で被覆した化合物半導体装置であって、前記窒化珪素系絶縁膜の前記化合物半導体基体に接する側の被覆性が表面側より高く、且つ、前記窒化珪素系絶縁膜の表面側のレジスト膜に対する密着性が前記化合物半導体基体に接する側より高いことを特徴とする化合物半導体装置。
IPC (7件)：
H01L 21/338 ,  H01L 29/778 ,  H01L 29/812 ,  H01L 21/28 ,  H01L 21/285 ,  H01L 29/417 ,  H01L 21/318
FI (6件)：
H01L29/80 H ,  H01L21/28 301B ,  H01L21/28 301R ,  H01L21/285 P ,  H01L29/50 J ,  H01L21/318 M
Fターム (55件)：
4M104AA04 ,  4M104AA05 ,  4M104BB05 ,  4M104BB06 ,  4M104BB14 ,  4M104CC01 ,  4M104CC03 ,  4M104DD09 ,  4M104DD10 ,  4M104DD17 ,  4M104DD18 ,  4M104DD20 ,  4M104DD34 ,  4M104DD68 ,  4M104EE12 ,  4M104EE14 ,  4M104EE17 ,  4M104FF07 ,  4M104FF13 ,  4M104GG12 ,  4M104HH09 ,  5F058BA09 ,  5F058BA10 ,  5F058BC08 ,  5F058BC10 ,  5F058BC11 ,  5F058BD01 ,  5F058BD10 ,  5F058BD15 ,  5F058BF07 ,  5F058BF29 ,  5F058BF30 ,  5F058BJ03 ,  5F102FA00 ,  5F102GJ02 ,  5F102GJ05 ,  5F102GK04 ,  5F102GK05 ,  5F102GL04 ,  5F102GM04 ,  5F102GM06 ,  5F102GM08 ,  5F102GN05 ,  5F102GQ01 ,  5F102GR04 ,  5F102GS01 ,  5F102GS04 ,  5F102GT01 ,  5F102GV05 ,  5F102GV06 ,  5F102GV08 ,  5F102HC10 ,  5F102HC11 ,  5F102HC17 ,  5F102HC19
引用特許：
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (12件)
  • 化合物半導体受光装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-057705   出願人：株式会社日立製作所
  • 特開平3-110845
  • 半導体装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-182370   出願人：株式会社東芝
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