特許

J-GLOBAL ID：201003021071352904

活性化ガスインジェクター、成膜装置及び成膜方法

発明者： 加藤 寿 ,  竹内 靖 ,  牛窪 繁博 ,  菊地 宏之
出願人/特許権者： 東京エレクトロン株式会社
代理人 (1件)： 井上 俊夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-172948
公開番号（公開出願番号）：特開2010-239103
出願日： 2009年07月24日
公開日（公表日）： 2010年10月21日
要約：

【課題】均一に活性化された処理ガスを供給することの可能な活性化ガスインジェクター及びこのインジェクターを備えた成膜装置を提供する。【解決手段】活性化ガスインジェクター32は、ガス活性化室323とガス導入室322とに区画され、これらの空間323、322が互いに連通された流路形成部材321と、前記ガス導入室321に処理ガスを導入するためのガス導入ポート39と、ガス活性化室323内に互いに並行に伸びるように設けられ、処理ガスを活性化させるための電力が印加される一対の電極36a、36bと、ガス活性化室323にて活性化されたガスを吐出するために電極36a、36bの長さ方向に沿って設けられたガス吐出口と、を備えている。【選択図】図8

請求項（抜粋）：

隔壁によりガス活性化用流路とガス導入用流路とに区画された流路形成部材と、 前記ガス導入用流路に処理ガスを導入するためのガス導入ポートと、 前記ガス活性化用流路内にて前記隔壁に沿って互いに並行に伸びるように設けられ、処理ガスを活性化させるための電力が印加される一対の電極と、 前記隔壁に電極の長さ方向に沿って設けられ、前記ガス導入用流路内の処理ガスを前記ガス活性化用流路に供給するための連通孔と、 前記ガス活性化用流路にて活性化されたガスを吐出するために前記ガス活性化用流路に前記電極の長さ方向に沿って設けられたガス吐出口と、を備えたことを特徴とする活性化ガスインジェクター。

IPC (3件)：

H01L 21/31 ,  C23C 16/455 ,  C23C 16/50

FI (4件)：

H01L21/31 B ,  H01L21/31 C ,  C23C16/455 ,  C23C16/50

Fターム (28件)：

4K030AA06 ,  4K030AA13 ,  4K030AA14 ,  4K030BA40 ,  4K030BA44 ,  4K030CA04 ,  4K030CA12 ,  4K030EA06 ,  4K030FA03 ,  4K030FA10 ,  4K030HA01 ,  4K030LA02 ,  4K030LA15 ,  5F045AA06 ,  5F045AB32 ,  5F045AB33 ,  5F045AC05 ,  5F045AC07 ,  5F045AC12 ,  5F045AD07 ,  5F045DP15 ,  5F045DP27 ,  5F045EE19 ,  5F045EE20 ,  5F045EF03 ,  5F045EF14 ,  5F045EH18 ,  5F045EK07

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 基板処埋装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-104011   出願人：株式会社日立国際電気
• 回転サセプタを備える半導体処理装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2007-066095   出願人：日本エー・エス・エム株式会社
• 高いスループットのCVD装置及び方法
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2007-524318   出願人：アイクストロンアーゲー