特許
J-GLOBAL ID：201003021091486516
半導体レーザ素子
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
山崎 宏
, 田中 光雄
, 仲倉 幸典
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-267157
公開番号（公開出願番号）：特開2010-098091
出願日： 2008年10月16日
公開日（公表日）： 2010年04月30日
要約：
【課題】活性層(量子井戸層)へ光の出射部となる窓構造を形成するための不純物の拡散条件のコントロールを容易にすることができる半導体レーザ素子を提供する。【解決手段】この半導体レーザ素子では、赤外レーザ活性層12上に形成されたp-InGaPクラッド層13は、拡散のし易さが異なる2つの異なる元素MgとZnを混合したドーパントが添加されている。したがって、この2つの元素MgとZnの混合比を調整することで、赤外レーザ活性層(量子井戸層)12への不純物の拡散条件をコントロールすることができる。【選択図】図1D
請求項（抜粋）：
半導体基板上に形成された第1導電型クラッド層と、
上記第1導電型クラッド層上に形成された活性層と、
上記活性層上に形成された第2導電型クラッド層とを備え、
上記活性層は井戸層と障壁層とを有する量子井戸層であり、
さらに、上記量子井戸層に不純物を拡散させて上記量子井戸層を構成している元素を相互拡散させて形成した光の出射部となる窓構造を有し、
上記第2導電型クラッド層は、少なくとも2つの異なる元素を混合したドーパントが添加されていることを特徴とする半導体レーザ素子。
IPC (3件)：
H01S 5/16
, H01S 5/343
, H01S 5/40
H01S5/16
, H01S5/343
, H01S5/40
5F173AB76
, 5F173AD06
, 5F173AF38
, 5F173AG08
, 5F173AH02
, 5F173AH08
, 5F173AJ03
, 5F173AJ04
, 5F173AJ43
, 5F173AP05
, 5F173AP53
, 5F173AP57
, 5F173AP62
, 5F173AR68
, 5F173AR80
