特許
J-GLOBAL ID：200903037497430069
半導体レーザ装置及びその製造方法
発明者：
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (12件)：
前田 弘
, 小山 廣毅
, 竹内 宏
, 嶋田 高久
, 竹内 祐二
, 今江 克実
, 藤田 篤史
, 二宮 克也
, 原田 智雄
, 井関 勝守
, 関 啓
, 杉浦 靖也
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-212226
公開番号（公開出願番号）：特開2007-035668
出願日： 2005年07月22日
公開日（公表日）： 2007年02月08日
要約：
【課題】二波長レーザ装置等のモノリシック集積レーザ装置において、1度の不純物拡散工程によって、活性層における出射端面近傍領域の各々に良好な窓領域が形成された、半導体レーザ装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】基板上に、第一導電型の第1のクラッド層、出射端面近傍に第1の窓領域を有する第1の活性層、及び第二導電型の第1のクラッド層が下から順に積層されてなる、第1の波長の素子と、第一導電型の第2のクラッド層、出射端面近傍に第2の窓領域を有する第2の活性層、及び第二導電型の第2のクラッド層が下から順に積層されてなる、第2の波長の素子とを備え、第二導電型の第1のクラッド層の格子定数及び第二導電型の第2のクラッド層の格子定数は、第1の活性層における第1の窓領域に含まれる不純物の拡散速度と第2の活性層における第2の窓領域に含まれる不純物の拡散速度との差異が補償されるように調整された定数である。【選択図】図4
請求項（抜粋）：
基板上に、第一導電型の第1のクラッド層、出射端面近傍に第1の窓領域を有する第1の活性層、及び第二導電型の第1のクラッド層が下から順に積層されてなる、第1の波長のレーザ光を放出する第1の素子と、
前記基板上に、第一導電型の第2のクラッド層、出射端面近傍に第2の窓領域を有する第2の活性層、及び第二導電型の第2のクラッド層が下から順に積層されてなる、第2の波長のレーザ光を放出する第2の素子とを備え、
前記第二導電型の第1のクラッド層の格子定数及び前記第二導電型の第2のクラッド層の格子定数は、前記第1の活性層における前記第1の窓領域に含まれる不純物の拡散速度と前記第2の活性層における前記第2の窓領域に含まれる不純物の拡散速度との差異が補償されるように調整された定数であることを特徴とする半導体レーザ装置。
IPC (3件)：
H01S 5/22
, H01S 5/343
, H01S 5/16
H01S5/22 610
, H01S5/343
, H01S5/16
5F173AA05
, 5F173AA42
, 5F173AA53
, 5F173AB73
, 5F173AB76
, 5F173AD06
, 5F173AH02
, 5F173AH08
, 5F173AP05
, 5F173AP52
, 5F173AR07
出願人引用 (1件)
-
半導体レーザ装置
公報種別：公開公報
出願番号：特願平11-231042
出願人：株式会社東芝
審査官引用 (5件)
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