特許
J-GLOBAL ID：200903036450182508

半導体レーザ装置およびその製造方法

発明者：
鹿嶋 孝之

鹿嶋 孝之 について

, 
牧田 幸治

牧田 幸治 について

, 
吉川 兼司

吉川 兼司 について


出願人/特許権者：
松下電器産業株式会社

松下電器産業株式会社 について


代理人 (4件)： 中島 司朗 ,  岩橋 文雄 ,  坂口 智康 ,  内藤 浩樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-283887
公開番号（公開出願番号）：特開2006-100517
出願日： 2004年09月29日
公開日（公表日）： 2006年04月13日
要約：
【課題】高出力のモノリシック2波長半導体レーザにおいて、各半導体レーザ素子の窓構造形成工程を共通化し、高信頼性の半導体レーザ装置を提供する。【解決手段】本発明の半導体レーザ装置は、赤外レーザ素子110と赤色レーザ素子120とが同じn型基板101上に形成されている。赤外レーザ素子110と赤色レーザ素子120とはそれぞれリッジ状の導波路を有し、各共振器端面にはZnが拡散されてなる窓構造131が形成されている。赤外レーザ素子110のリッジ状の導波路にはp型コンタクト層109を、赤色レーザ素子120のリッジ状の導波路にはp型コンタクト層119をそれぞれ含んでおり、p型コンタクト層109の膜厚は、p型コンタクト層119の膜厚よりも薄くなるように設定されている。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
第1の波長の光を発する第1の半導体レーザ素子と、第2の波長の光を発する第2の半導体レーザ素子とが同一の基板上に形成されてなるモノリシックタイプの半導体レーザ装置であって、 前記第1の半導体レーザ素子および前記第2の半導体レーザ素子はそれぞれ、少なくとも第1導電型クラッド層、活性層、第2導電型クラッド層をこの順に積層してなるダブルへテロ構造と、 少なくとも前記第2導電型クラッド層と、その上に設けられたコンタクト層と、を含むリッジ形状の導波路を有しており、 前記第1の半導体レーザ素子と前記第2の半導体レーザ素子には、それぞれ共振器端面に高濃度の不純物が導入された窓構造領域が形成され、 前記第1の半導体レーザ素子における前記コンタクト層と前記第2の半導体レーザ素子における前記コンタクト層とでそれぞれ膜厚が異なることを特徴とする半導体レーザ装置。
IPC (3件)：
H01S 5/042 ,  H01S 5/16 ,  H01S 5/22
FI (3件)：
H01S5/042 614 ,  H01S5/16 ,  H01S5/22 610
Fターム (16件)：
5F173AA05 ,  5F173AA16 ,  5F173AB76 ,  5F173AD06 ,  5F173AF72 ,  5F173AG05 ,  5F173AH02 ,  5F173AH08 ,  5F173AJ03 ,  5F173AP05 ,  5F173AP32 ,  5F173AP42 ,  5F173AP52 ,  5F173AR07 ,  5F173AR94 ,  5F173AR96
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (4件)
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