特許
J-GLOBAL ID：200903002983264628

高平坦度ウェーハの製造方法

発明者：
▲高崎▼ 義浩

▲高崎▼ 義浩 について

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藤野 修一

藤野 修一 について

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川本 敏郎

川本 敏郎 について


出願人/特許権者：
三菱マテリアルシリコン株式会社

三菱マテリアルシリコン株式会社 について


代理人 (1件)： 安倍 逸郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-256506
公開番号（公開出願番号）：特開2000-091282
出願日： 1998年09月10日
公開日（公表日）： 2000年03月31日
要約：
【要約】【課題】 ウェーハ外周部のダレが小さくて平坦度が高いウェーハを得るとともに、研磨時間も短縮する半導体ウェーハの製造方法を提供する。【解決手段】 面取りされた半導体ウェーハの表裏両面をラッピングし、エッチングして、それ以前にウェーハ表面に発生した欠陥を除去する。その後、エッチングされたウェーハ表面を、レジノイドボンド研削砥石により低ダメージ研削し、次にこの高平坦度の研削面を研磨する。結果、ウェーハ外周部のダレが小さい高品質の半導体ウェーハが得られる。このように、研磨前にウェーハ表面を研削するので、研磨時間が短くなる。かつ研磨量も少なく平坦度が高まる。これは、レジノイドボンド研削砥石での研削により、高平坦度のウェーハ表面が得られることから、少ない研磨量でも従来と同品質の研磨面になることを意味する。
請求項（抜粋）：
面取り加工が施された半導体ウェーハをラッピングする工程と、このラップドウェーハをエッチングする工程と、エッチング後、半導体ウェーハの表面にレジノイドボンド研削砥石を用いて低ダメージの研削を施す工程と、この研削後の半導体ウェーハの表面を研磨する工程とを備えた高平坦度ウェーハの製造方法。
IPC (4件)：
H01L 21/304 622 ,  H01L 21/304 ,  H01L 21/304 621 ,  B24B 1/00
FI (4件)：
H01L 21/304 622 N ,  H01L 21/304 622 P ,  H01L 21/304 621 C ,  B24B 1/00 A
Fターム (5件)：
3C049AA04 ,  3C049CA01 ,  3C049CB01 ,  3C049CB03 ,  3C049CB10
引用特許：
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (5件)
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