高平坦度ウェーハの製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：安倍逸郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-256506
公開番号（公開出願番号）：特開2000-091282
出願日： 1998年09月10日
公開日（公表日）： 2000年03月31日
要約：

【要約】【課題】ウェーハ外周部のダレが小さくて平坦度が高いウェーハを得るとともに、研磨時間も短縮する半導体ウェーハの製造方法を提供する。【解決手段】面取りされた半導体ウェーハの表裏両面をラッピングし、エッチングして、それ以前にウェーハ表面に発生した欠陥を除去する。その後、エッチングされたウェーハ表面を、レジノイドボンド研削砥石により低ダメージ研削し、次にこの高平坦度の研削面を研磨する。結果、ウェーハ外周部のダレが小さい高品質の半導体ウェーハが得られる。このように、研磨前にウェーハ表面を研削するので、研磨時間が短くなる。かつ研磨量も少なく平坦度が高まる。これは、レジノイドボンド研削砥石での研削により、高平坦度のウェーハ表面が得られることから、少ない研磨量でも従来と同品質の研磨面になることを意味する。

請求項（抜粋）：

面取り加工が施された半導体ウェーハをラッピングする工程と、このラップドウェーハをエッチングする工程と、エッチング後、半導体ウェーハの表面にレジノイドボンド研削砥石を用いて低ダメージの研削を施す工程と、この研削後の半導体ウェーハの表面を研磨する工程とを備えた高平坦度ウェーハの製造方法。

IPC (4件)：

H01L 21/304 622 , H01L 21/304 , H01L 21/304 621 , B24B 1/00

FI (4件)：

H01L 21/304 622 N , H01L 21/304 622 P , H01L 21/304 621 C , B24B 1/00 A

Fターム (5件)：

3C049AA04 , 3C049CA01 , 3C049CB01 , 3C049CB03 , 3C049CB10

引用特許：

審査官引用 (5件)

半導体ウェハの製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-109906 出願人：コマツ電子金属株式会社
半導体ウェ-ハおよびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-139490 出願人：三菱マテリアルシリコン株式会社, 三菱マテリアル株式会社
ウェーハ製造システム
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-343902 出願人：株式会社東京精密

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