特許
J-GLOBAL ID：200903022892819571

シリコンウェーハの製造方法

発明者：
古屋田 栄

古屋田 栄 について

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村山 克彦

村山 克彦 について

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橋井 友裕

橋井 友裕 について

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高石 和成

高石 和成 について

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加藤 健夫

加藤 健夫 について


出願人/特許権者：
株式会社SUMCO

株式会社SUMCO について


代理人 (1件)： 須田 正義
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-237520
公開番号（公開出願番号）：特開2006-100799
出願日： 2005年08月18日
公開日（公表日）： 2006年04月13日
要約：
【課題】両面同時研磨工程や片面研磨工程の負荷を軽減するとともに、平坦化工程を終えた際のウェーハ平坦度の維持及びウェーハ表面粗さの低減の双方を達成する。【解決手段】本発明のシリコンウェーハの製造方法は、シリコン単結晶インゴットをスライスして得られた薄円板状のシリコンウェーハの表裏面を研削又はラッピングする平面化工程13と、平坦化した単一のシリコンウェーハをスピンしながらウェーハの表面に酸エッチング液を供給して、供給した酸エッチング液をスピンによる遠心力によりウェーハ表面全体に拡げてウェーハ表面全体をエッチングしてウェーハ表面の表面粗さRaを0.20μm以下に制御する枚葉式酸エッチング工程14と、枚葉式酸エッチングしたシリコンウェーハの表裏面を同時に研磨する両面同時研磨工程16又は枚葉式酸エッチングしたウェーハの表裏面を片面ずつ研磨する片面研磨工程とをこの順に含む。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
シリコン単結晶インゴットをスライスして得られた薄円板状のシリコンウェーハの表裏面を研削又はラッピングする平面化工程(13)と、 前記平坦化した単一のシリコンウェーハをスピンしながら前記ウェーハの表面に酸エッチング液を供給して、前記供給した酸エッチング液をスピンによる遠心力によりウェーハ表面全体に拡げてウェーハ表面全体をエッチングして前記ウェーハ表面の表面粗さRaを0.20μm以下に制御する枚葉式酸エッチング工程(14)と、 前記枚葉式酸エッチングしたシリコンウェーハの表裏面を同時に研磨する両面同時研磨工程(16)と をこの順に含むことを特徴とするシリコンウェーハの製造方法。
IPC (2件)：
H01L 21/304 ,  H01L 21/306
FI (2件)：
H01L21/304 622N ,  H01L21/306 B
Fターム (5件)：
5F043AA02 ,  5F043BB02 ,  5F043DD13 ,  5F043DD16 ,  5F043FF07
引用特許：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (4件)
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