特許
J-GLOBAL ID：201003022102393902

トランジスタ、及び当該トランジスタを具備する半導体装置、並びにそれらの作製方法

発明者：
坂田 淳一郎

坂田 淳一郎 について

, 
郷戸 宏充

郷戸 宏充 について

, 
島津 貴志

島津 貴志 について


出願人/特許権者：
株式会社半導体エネルギー研究所

株式会社半導体エネルギー研究所 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-027582
公開番号（公開出願番号）：特開2010-212671
出願日： 2010年02月10日
公開日（公表日）： 2010年09月24日
要約：
【課題】酸化物半導体層を有するトランジスタ又は当該トランジスタを具備する半導体装置において、電気的特性の劣化を抑制することを課題の一とする。【解決手段】酸化物半導体をチャネル層として用いるトランジスタにおいて、酸化物半導体層の表面に接するようにシリコン層を設けると共に、当該シリコン層上に不純物半導体層を設け、当該不純物半導体層に電気的に接続するようにソース電極層及びドレイン電極層を設ける構成とする。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
ゲート電極と、 前記ゲート電極上に設けられたゲート絶縁層と、 前記ゲート絶縁層上に設けられ、且つ前記ゲート電極と重なる酸化物半導体層と、 前記酸化物半導体層の表面に接して設けられたシリコン層と、 前記シリコン層上に設けられた第1の不純物半導体層及び第2の不純物半導体層と、 前記第1の不純物半導体層と電気的に接続されたソース電極層と、 前記第2の不純物半導体層と電気的に接続されたドレイン電極層と、を有するトランジスタ。
IPC (1件)：
H01L 29/786
FI (3件)：
H01L29/78 618B ,  H01L29/78 618E ,  H01L29/78 616V
Fターム (55件)：
5F110AA30 ,  5F110BB01 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD04 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE07 ,  5F110EE14 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF28 ,  5F110GG01 ,  5F110GG02 ,  5F110GG03 ,  5F110GG13 ,  5F110GG14 ,  5F110GG15 ,  5F110GG19 ,  5F110GG25 ,  5F110GG28 ,  5F110GG29 ,  5F110GG42 ,  5F110GG43 ,  5F110GG44 ,  5F110GG58 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK06 ,  5F110HK07 ,  5F110HK09 ,  5F110HK14 ,  5F110HK15 ,  5F110HK16 ,  5F110HK21 ,  5F110HK22 ,  5F110HK25 ,  5F110HK32 ,  5F110HK33 ,  5F110HK35 ,  5F110HL07 ,  5F110HL22 ,  5F110HL23 ,  5F110NN02 ,  5F110NN12 ,  5F110NN22 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN72 ,  5F110NN73
引用特許：
審査官引用 (5件)
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM