特許
J-GLOBAL ID：201003022396053519

バイポーラ型半導体装置

発明者：
杉山 隆英

杉山 隆英 について

, 
斎藤 順

斎藤 順 について


出願人/特許権者：
株式会社豊田中央研究所

株式会社豊田中央研究所 について

, 
トヨタ自動車株式会社

トヨタ自動車株式会社 について


代理人 (1件)： 特許業務法人快友国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-283161
公開番号（公開出願番号）：特開2010-114136
出願日： 2008年11月04日
公開日（公表日）： 2010年05月20日
要約：
【課題】 サージ電圧の発生が抑制されたバイポーラ型半導体装置を提供すること。【解決手段】 IGBT100は、p型のボディ領域14内に設けられており、ベース領域13とエミッタ領域16を結ぶ方向においてボディ領域14を分断しているn型のフローティング領域15を備えている。フローティング領域15の自由電子総量とフローティング領域15よりもベース領域13側に存在するボディ領域14bの正孔総量のキャリア総量比(自由電子総量/正孔総量)が、ターンオンしたときに、寄生サイリスタが動作しない範囲に設定されている。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
第1導電型のベース領域と第1導電型のエミッタ領域を隔てている第2導電型のボディ領域に対向している絶縁ゲートを有する半導体装置であって、 ボディ領域内に設けられており、ベース領域とエミッタ領域を結ぶ方向においてボディ領域を分断している第1導電型のフローティング領域を備え、 フローティング領域の第1キャリア総量とフローティング領域よりもベース領域側に存在するボディ領域の第2キャリア総量のキャリア総量比(第1キャリア総量/第2キャリア総量)が、ターンオンしたときに、寄生サイリスタが動作しない範囲に設定されていることを特徴とするバイポーラ型半導体装置。
IPC (2件)：
H01L 29/78 ,  H01L 29/739
FI (4件)：
H01L29/78 652C ,  H01L29/78 653A ,  H01L29/78 652F ,  H01L29/78 655A
引用特許：
出願人引用 (4件)
  • 半導体装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-092975   出願人：株式会社豊田中央研究所, トヨタ自動車株式会社
  • 半導体装置
    公報種別：再公表公報   出願番号：JP2005008717   出願人：株式会社豊田中央研究所, トヨタ自動車株式会社
  • 絶縁ゲート型半導体装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-122898   出願人：株式会社豊田中央研究所, トヨタ自動車株式会社
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審査官引用 (3件)

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