特許

J-GLOBAL ID：201003022593125378

シード結晶からキャストシリコンを製造するための方法及び装置

発明者： ストッダード,ネイサン・ジー
出願人/特許権者： ビーピー・コーポレーション・ノース・アメリカ・インコーポレーテッド
代理人 (7件)： 小野 新次郎 ,  社本 一夫 ,  小林 泰 ,  千葉 昭男 ,  富田 博行 ,  松山 美奈子 ,  森下 梓
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-518293
公開番号（公開出願番号）：特表2010-534189
出願日： 2008年07月16日
公開日（公表日）： 2010年11月04日
要約：

光電池及び他の用途のためのシリコンをキャストする方法。かかる方法によれば、放射状に分布する不純物及び欠陥を含まないか又は実質的に含まず、それぞれ少なくとも35cmである少なくとも2つの寸法を有する単結晶質又は双晶シリコンのキャスト体が与えられる。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

少なくともシリコンの溶融温度に加熱されている1以上の側壁及び冷却のための少なくとも1つの壁部を有する容器内に、溶融シリコンをシード結晶のパターンと接触させて配置し; ここで、シード結晶のパターンは複数の単結晶シリコンシード結晶を含み、1以上の単結晶シリコンシード結晶を第1の結晶方位で配列し、1以上の単結晶シリコンシード結晶を第2の結晶方位で配列し;そして 単結晶質シリコンの領域を含む固形体を形成する; ことを含むキャストシリコンの製造方法。

IPC (4件)：

C01B 33/02 ,  C30B 29/06 ,  C30B 11/00 ,  H01L 31/04

FI (4件)：

C01B33/02 Z ,  C30B29/06 501Z ,  C30B11/00 Z ,  H01L31/04 H

Fターム (38件)：

4G072AA01 ,  4G072BB02 ,  4G072BB11 ,  4G072BB12 ,  4G072GG03 ,  4G072GG04 ,  4G072HH01 ,  4G072MM38 ,  4G072NN01 ,  4G072NN02 ,  4G072NN03 ,  4G072RR13 ,  4G072TT19 ,  4G072UU02 ,  4G077AA02 ,  4G077AB01 ,  4G077AB09 ,  4G077AB10 ,  4G077BA04 ,  4G077CD08 ,  4G077EA01 ,  4G077EB06 ,  4G077ED01 ,  4G077ED02 ,  4G077EG02 ,  4G077EG18 ,  4G077EH07 ,  4G077FG11 ,  4G077FG20 ,  4G077FJ07 ,  4G077HA01 ,  4G077HA06 ,  4G077MA02 ,  4G077MB14 ,  4G077MB26 ,  4G077MB33 ,  5F151AA02 ,  5F151CB05

引用特許：

審査官引用 (3件)

• シリコン半導体基板および太陽電池用基板の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-160002   出願人：シャープ株式会社
• 太陽電池用多結晶シリコン・インゴットの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-349980   出願人：川崎製鉄株式会社
• 多結晶半導体の製造方法および製造装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-149179   出願人：シャープ株式会社