特許
J-GLOBAL ID：201003022836177568
不揮発性半導体記憶装置及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
日向寺 雅彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-171009
公開番号（公開出願番号）：特開2010-010596
出願日： 2008年06月30日
公開日（公表日）： 2010年01月14日
要約：
【課題】微細化してもメモリセル間の干渉が少ない不揮発性半導体記憶装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】シリコン基板上にそれぞれ複数の絶縁膜12及び電極膜WLを交互に積層させてメモリ積層体を形成し、貫通ホール20を形成する。次に、貫通ホール20を介して電極膜WLをエッチングし、絶縁膜12を突出させる。次に、貫通ホール20を介して絶縁膜12を等方的にエッチングし、電極膜WLとの境界部分に凹部を形成する。次に、電極膜WLにおける貫通ホール20内に露出した面上にブロック絶縁層22を形成する。そして、貫通ホール20の側面上に電荷蓄積層23を堆積させ、エッチングすることにより、電荷蓄積層23を凹部内に残留させる。次に、貫通ホール20の側面上にトンネル絶縁層21を形成し、貫通ホール20内にシリコンピラーSPを埋設する。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
それぞれ複数の絶縁膜及び電極膜が交互に積層され、積層方向に延びる貫通ホールが形成された積層体と、
前記貫通ホールの内部に埋設された半導体ピラーと、
前記電極膜ごとに、前記積層方向における前記電極膜の両側に配置され、前記電極膜及び前記半導体ピラーから絶縁された電荷蓄積層と、
を備えたことを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。
IPC (4件)：
H01L 21/824
, H01L 27/115
, H01L 29/788
, H01L 29/792
H01L27/10 434
, H01L29/78 371
5F083EP18
, 5F083EP22
, 5F083EP33
, 5F083EP34
, 5F083EP48
, 5F083EP49
, 5F083EP76
, 5F083ER02
, 5F083ER22
, 5F083GA02
, 5F083GA10
, 5F083GA13
, 5F083GA28
, 5F083JA04
, 5F083KA01
, 5F083KA05
, 5F083KA11
, 5F083PR05
, 5F083PR06
, 5F083ZA21
, 5F101BA45
, 5F101BB02
, 5F101BD16
, 5F101BD22
, 5F101BD30
, 5F101BD34
, 5F101BE02
, 5F101BE05
, 5F101BE07
, 5F101BF02
, 5F101BF05
