特許
J-GLOBAL ID:201003025557870830
レジスト材料及びパターン形成方法
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (4件):
小島 隆司
, 重松 沙織
, 小林 克成
, 石川 武史
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2009-100043
公開番号(公開出願番号):特開2010-250105
出願日: 2009年04月16日
公開日(公表日): 2010年11月04日
要約:
【課題】撥水性と滑水性に優れ、現像欠陥が少なく、現像後のレジストパターン形状が良好な液浸リソグラフィー用レジスト材料の添加剤を用いたレジスト材料、この材料を用いたパターン形成方法を提供する。【解決手段】(A)一般式(1)で表される繰り返し単位を有する高分子化合物、(B)ベース樹脂として酸の作用によりアルカリ現像液に可溶となる高分子化合物、(C)高エネルギー線の露光により酸を発生する化合物、(D)有機溶剤を含有するレジスト材料。【選択図】なし
請求項(抜粋):
(A)下記一般式(1)で表される繰り返し単位を有する高分子化合物、(B)ベース樹脂として酸の作用によりアルカリ現像液に可溶となる高分子化合物、(C)高エネルギー線の露光により酸を発生する化合物、(D)有機溶剤を含有することを特徴とするレジスト材料。
IPC (10件):
G03F 7/039
, G03F 7/004
, G03F 7/38
, H01L 21/027
, C08F 20/10
, C08F 32/08
, C08F 20/54
, C08F 14/26
, C08F 34/02
, C08F 20/26
FI (10件):
G03F7/039 601
, G03F7/004 501
, G03F7/38 501
, H01L21/30 502R
, C08F20/10
, C08F32/08
, C08F20/54
, C08F14/26
, C08F34/02
, C08F20/26
Fターム (58件):
2H096AA25
, 2H096BA11
, 2H096DA10
, 2H096EA05
, 2H125AF17P
, 2H125AF36P
, 2H125AH05
, 2H125AH11
, 2H125AH14
, 2H125AH19
, 2H125AH25
, 2H125AH29
, 2H125AJ14X
, 2H125AJ64X
, 2H125AJ65X
, 2H125AJ69X
, 2H125AN11P
, 2H125AN31P
, 2H125AN39P
, 2H125AN50P
, 2H125AN88P
, 2H125CA12
, 2H125CB09
, 2H125CC03
, 2H125CC15
, 2H125FA03
, 4J100AC26Q
, 4J100AL08P
, 4J100AL26Q
, 4J100AM17Q
, 4J100AR09Q
, 4J100AR32Q
, 4J100BA02P
, 4J100BA03P
, 4J100BA04P
, 4J100BA11P
, 4J100BA15P
, 4J100BA15Q
, 4J100BA16Q
, 4J100BA56Q
, 4J100BB07P
, 4J100BB07Q
, 4J100BB12P
, 4J100BB12Q
, 4J100BB13P
, 4J100BB13Q
, 4J100BB18P
, 4J100BB18Q
, 4J100BC02P
, 4J100BC02Q
, 4J100BC03P
, 4J100BC03Q
, 4J100BC04P
, 4J100BC04Q
, 4J100BC53P
, 4J100CA01
, 4J100CA04
, 4J100JA38
引用特許:
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