ハイブリッド型磁性体/半導体スピン素子及びその製造方法

発明者： , , , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：津国肇 , 篠田文雄 , 束田幸四郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-068644
公開番号（公開出願番号）：特開2004-282067
出願日： 2004年03月11日
公開日（公表日）： 2004年10月07日
要約：

【課題】常温で強磁性体からスピン分極されたキャリアを半導体に注入して得られるスピンバルブ効果から、メモリ及び論理素子への応用が可能なスピン注入素子及びスピン電界効果トランジスタを提供する。【解決手段】半導体基板と、該半導体基板の上面に磁性体により形成されたソース領域と、該ソース領域からスピン分極されたキャリアが注入される、前記半導体基板の上面に形成されたスピンチャンネル領域と、該スピンチャンネル領域を通過したスピンが検出される、前記半導体基板の上面に磁性体により形成されたドレーン領域と、を含むハイブリッド型磁性体/半導体スピン素子である。【選択図】図5A

請求項（抜粋）：

半導体基板と、該半導体基板の上面に磁性体により形成されたソース領域と、該ソース領域からスピン分極されたキャリアが注入される、前記半導体基板の上面に形成されたスピンチャンネル領域と、該スピンチャンネル領域を通過したスピンが検出される、前記半導体基板の上面に磁性体により形成されたドレーン領域と、を含むことを特徴とするハイブリッド型磁性体/半導体スピン素子。

IPC (7件)：

H01L29/82 , H01F10/16 , H01F10/193 , H01F10/32 , H01F41/18 , H01L29/66 , H01L29/786

FI (8件)：

H01L29/82 Z , H01F10/16 , H01F10/193 , H01F10/32 , H01F41/18 , H01L29/66 T , H01L29/78 622 , H01L29/78 618B

Fターム (26件)：

5E049AA01 , 5E049AA04 , 5E049AA07 , 5E049BA12 , 5E049BA25 , 5E049DB02 , 5E049GC01 , 5F110AA30 , 5F110CC01 , 5F110DD05 , 5F110DD13 , 5F110GG02 , 5F110GG03 , 5F110GG04 , 5F110GG12 , 5F110GG28 , 5F110HK01 , 5F110HK02 , 5F110HK04 , 5F110HK06 , 5F110HK08 , 5F110HK22 , 5F110HK32 , 5F110HK33 , 5F110HK41 , 5F110QQ14

引用特許：

審査官引用 (2件)

スピンデバイス及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-257373 出願人：北海道大学長
半導体装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-392292 出願人：株式会社東芝

引用文献：

審査官引用 (8件)

"Electronic analog of the electro-optic modulator"
"Advances in wide bandgap materials for semiconductor spintronics"
"CrO2 - A New Half-Metallic Ferromagnet?"

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