ホイスラー合金を有する積層体、この積層体を用いたスピンMOS電界効果トランジスタ及びトンネル磁気抵抗効果素子

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (8件)：鈴江武彦 , 河野哲 , 中村誠 , 蔵田昌俊 , 峰隆司 , 福原淑弘 , 村松貞男 , 橋本良郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-218963
公開番号（公開出願番号）：特開2009-054724
出願日： 2007年08月24日
公開日（公表日）： 2009年03月12日
要約：

【課題】半導体層上にエピタキシャル成長したホイスラー合金を有する積層体、及び前記ホイスラー合金を有する積層体を用いたスピンMOS電界効果トランジスタ及びトンネル磁気抵抗効果素子などの半導体装置を提供する。【解決手段】半導体基板31の表面領域には不純物拡散層32が形成され、不純物拡散層32上には、(001)配向したMgO層33が形成されている。さらに、MgO層33上には、エピタキシャル成長したホイスラー合金34が形成されている。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

半導体層の表面領域に形成された不純物拡散層と、前記不純物拡散層上に形成され、(001)配向したMgO層と、前記MgO層上に形成されたホイスラー合金と、を積層した構造を有することを特徴とする積層体。

IPC (7件)：

H01L 43/08 , H01L 29/82 , H01F 10/16 , H01F 10/32 , G11B 5/39 , H01L 21/824 , H01L 27/105

FI (6件)：

H01L43/08 M , H01L29/82 Z , H01F10/16 , H01F10/32 , G11B5/39 , H01L27/10 447

Fターム (46件)：

4M119AA15 , 4M119BB01 , 4M119DD45 , 4M119EE22 , 4M119EE27 , 4M119FF06 , 4M119FF15 , 5D034BA02 , 5D034BA15 , 5D034BA21 , 5E049AA04 , 5E049AA10 , 5E049BA25 , 5E049CB02 , 5E049DB02 , 5E049DB04 , 5E049DB14 , 5F092AA02 , 5F092AA11 , 5F092AB02 , 5F092AB08 , 5F092AC12 , 5F092AC24 , 5F092AD03 , 5F092BB04 , 5F092BB10 , 5F092BB12 , 5F092BB22 , 5F092BB24 , 5F092BB36 , 5F092BB44 , 5F092BC03 , 5F092BC07 , 5F092BC12 , 5F092BC18 , 5F092BD05 , 5F092BD13 , 5F092BD14 , 5F092BD15 , 5F092BD23 , 5F092BE06 , 5F092BE13 , 5F092BE21 , 5F092BE24 , 5F092CA11 , 5F092EA06

引用特許：

審査官引用 (6件)

スピン注入FET
公報種別：公開公報出願番号：特願2005-101531 出願人：株式会社東芝
トンネル型磁気検出素子及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2006-005497 出願人：アルプス電気株式会社
平坦化トンネル磁気抵抗素子
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-121121 出願人：独立行政法人産業技術総合研究所, 科学技術振興事業団

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