特許

J-GLOBAL ID：201003026149679168

液晶表示装置及びその製造方法

発明者： 川野 英郎 ,  砂山 英樹
出願人/特許権者： ビデオコン グローバル リミテッド
代理人 (2件)： 渡部 弘道 ,  守谷 一雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-014889
公開番号（公開出願番号）：特開2010-177223
出願日： 2009年01月27日
公開日（公表日）： 2010年08月12日
要約：

【課題】補助容量の容量を減少させることなく遮光性のある補助容量線の面積を縮小し、開口率を向上させることができる液晶表示装置を提供する。【解決手段】In、Ga及びZnを含むアモルファス酸化物からなる半導体層に紫外線を照射することにより高導電率化されたソース領域を構成し、補助容量線を画素電極とソース領域との間にそれぞれ絶縁層を介して形成する。補助容量線と画素電極との間に形成される補助容量に加え、ソース領域と補助容量線との間で形成される容量分だけ総補助容量を増加させることが可能となるため、その分だけ補助容量線の面積を縮小することができ、開口率が向上する。【選択図】図3

請求項（抜粋）：

対向する基板間に液晶を挟持する液晶表示装置の製造方法であって、 一方の該基板の上にIn、Ga及びZnを含むアモルファス酸化物からなる薄膜トランジスタの半導体層を形成する第1工程と、 該半導体層の上にゲート絶縁膜を形成する第2工程と、 該ゲート絶縁膜の上に遮光性を備えるゲート電極を形成する第3工程と、 紫外線を該ゲート電極側から該半導体層に向けて照射することにより、照射前の該半導体層よりも導電率の高いアモルファスのソース領域及びドレイン領域を構成する第4工程と、 該ソース領域の一部と平面視で重なり合うように補助容量線を該ゲート絶縁膜の上に形成することによって第2補助容量を構成する第5工程と、 該補助容量線の上に絶縁層を形成する第6工程と、 該絶縁層の上に該補助容量線と一部が平面視で重なり合い該ソース領域と接続された画素電極を形成することによって第1補助容量を構成する第7工程と を含むことを特徴とする液晶表示装置の製造方法。

IPC (5件)：

H01L 21/336 ,  H01L 29/786 ,  G09F 9/30 ,  G09F 9/00 ,  G02F 1/136

FI (6件)：

H01L29/78 616M ,  H01L29/78 618B ,  H01L29/78 612D ,  G09F9/30 338 ,  G09F9/00 338 ,  G02F1/1368

Fターム (68件)：

2H092JA25 ,  2H092JA28 ,  2H092JA34 ,  2H092JB56 ,  2H092JB65 ,  2H092JB69 ,  2H092KA05 ,  2H092MA07 ,  2H092MA13 ,  2H092MA37 ,  2H092NA07 ,  5C094AA01 ,  5C094AA43 ,  5C094BA03 ,  5C094BA43 ,  5C094DA13 ,  5C094FB14 ,  5C094FB19 ,  5C094GB10 ,  5F110AA04 ,  5F110AA16 ,  5F110BB02 ,  5F110CC10 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE06 ,  5F110EE12 ,  5F110EE14 ,  5F110EE44 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF04 ,  5F110FF09 ,  5F110FF29 ,  5F110FF30 ,  5F110GG01 ,  5F110GG06 ,  5F110GG07 ,  5F110GG15 ,  5F110GG25 ,  5F110GG43 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK07 ,  5F110HK08 ,  5F110HK17 ,  5F110HK21 ,  5F110HK22 ,  5F110HK31 ,  5F110HK33 ,  5F110HL07 ,  5F110HL23 ,  5F110HM12 ,  5F110NN04 ,  5F110NN24 ,  5F110NN35 ,  5F110NN73 ,  5F110QQ11 ,  5F110QQ12 ,  5G435AA01 ,  5G435AA17 ,  5G435BB12 ,  5G435HH13 ,  5G435KK05

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 酸化物半導体デバイスの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-258268   出願人：キヤノン株式会社
• 半導体装置及び半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2006-262619   出願人：キヤノン株式会社
• 薄膜半導体装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-036164   出願人：ソニー株式会社