特許

J-GLOBAL ID：200903050648063515

酸化物半導体デバイスの製造方法

発明者： 加地 信幸 ,  薮田 久人
出願人/特許権者： キヤノン株式会社
代理人 (3件)： 山下 穣平 ,  志村 博 ,  永井 道雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-258268
公開番号（公開出願番号）：特開2007-073699
出願日： 2005年09月06日
公開日（公表日）： 2007年03月22日
要約：

【課題】酸化物半導体を用いたFETをはじめとする酸化物半導体デバイスの製造方法において、低コストでかつ高品質・高性能の素子を提供する。【解決手段】 酸化物半導体をチャネル層14として用いたFETの製造方法において、チャネル層14を成す酸化物半導体の所望の場所に短波長の光または高エネルギーの粒子を照射する。そして低導電率のチャネル層14に高導電率のドレイン15およびソース16を形成することにより、チャネル層14の界面状態を良好に保ったFETを製造する。あるいは、高導電率の酸化物半導体の所望の場所に光触媒を接触させ、光触媒に光を照射して酸化物半導体に低導電率の部分を形成する。その低導電率の部分をチャネル層に用いて、チャネル層の界面状態を良好に保ったFETを製造する。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

酸化物半導体を用いるデバイスの製造方法であって、 基板上に前記酸化物半導体を形成する工程と、 前記酸化物半導体の所望の場所にエネルギー線を照射することにより前記酸化物半導体の導電率を変化させる工程と、を有することを特徴とする酸化物半導体デバイスの製造方法。

IPC (3件)：

H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  H01L 21/28

FI (3件)：

H01L29/78 618B ,  H01L29/78 616K ,  H01L21/28 301B

Fターム (44件)：

4M104AA03 ,  4M104AA08 ,  4M104AA09 ,  4M104AA10 ,  4M104BB01 ,  4M104BB02 ,  4M104BB06 ,  4M104BB09 ,  4M104BB36 ,  4M104BB39 ,  4M104DD37 ,  4M104EE03 ,  4M104EE14 ,  4M104EE16 ,  4M104EE17 ,  4M104GG08 ,  4M104GG09 ,  4M104HH20 ,  5F110AA30 ,  5F110CC01 ,  5F110CC03 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE07 ,  5F110EE09 ,  5F110EE43 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF04 ,  5F110FF28 ,  5F110GG01 ,  5F110GG13 ,  5F110GG15 ,  5F110GG24 ,  5F110GG42 ,  5F110GG43 ,  5F110GG45 ,  5F110HK31 ,  5F110QQ04 ,  5F110QQ05 ,  5F110QQ14

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 半導体デバイス
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-264885   出願人：科学技術振興事業団

審査官引用 (3件)

• n型化合物半導体におけるオーム性電極の形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-240839   出願人：理化学研究所
• 酸化物半導体発光素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-149236   出願人：シャープ株式会社, 川崎雅司
• ホモロガス薄膜を活性層として用いる透明薄膜電界効果型トランジスタ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-266012   出願人：科学技術振興事業団, 太田裕道