特許
J-GLOBAL ID：201003026929676950
レーザ加工方法、レーザ加工装置およびチップの製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
酒井 宏明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-257843
公開番号（公開出願番号）：特開2010-087433
出願日： 2008年10月02日
公開日（公表日）： 2010年04月15日
要約：
【課題】サファイア基板のような透明体基板を分割できるだけの加工溝を確実に形成しつつ、チップ断面の溶融層を低減させて品質の低下を最小限に抑える。【解決手段】ウエーハ1のストリート4に対して加工溝210が形成される加工領域Gと加工溝210より浅い浅溝211が形成される加工起点領域Hとを交互に設定し、ストリート4に沿ってレーザビームの照射点Pを走査させて加工溝210と浅溝211とを連続的に形成するようにした。【選択図】 図8
請求項（抜粋）：
透明体基板の表面に機能層が形成され格子状に配列された複数のストリートによって形成された複数の領域にデバイスが形成されたウエーハの前記透明体基板にレーザビームを照射してアブレーション加工するレーザ加工方法であって、
前記ウエーハを保持する保持工程と、
前記各ストリートに対して、加工溝が形成される加工領域と、前記加工溝より浅い浅溝が形成される加工起点領域とを交互に設定してその設定情報を記憶部に記憶する設定工程と、
前記記憶部に記憶された前記設定情報に基づいて前記各ストリートの一端から他端に向けて前記レーザビームの照射点を走査させて前記加工溝と前記浅溝とを連続的に形成する加工工程と、
を含むことを特徴とするレーザ加工方法。
IPC (4件)：
H01L 21/301
, B23K 26/36
, B23K 26/00
, B23K 26/08
H01L21/78 B
, B23K26/36
, B23K26/00 N
, B23K26/08 D
4E068AD00
, 4E068AE00
, 4E068AH00
, 4E068CA02
, 4E068CB02
, 4E068CC02
, 4E068CE04
, 4E068DA10
