特許

J-GLOBAL ID：201003028017798110

パワーデバイスおよびその製造方法

発明者： 木山 誠 ,  塩見 弘 ,  住吉 和英 ,  八郷 昭広
出願人/特許権者： 住友電気工業株式会社
代理人 (7件)： 深見 久郎 ,  森田 俊雄 ,  仲村 義平 ,  堀井 豊 ,  野田 久登 ,  酒井 將行 ,  荒川 伸夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-049613
公開番号（公開出願番号）：特開2010-205918
出願日： 2009年03月03日
公開日（公表日）： 2010年09月16日
要約：

【課題】低価格でオン抵抗が低いパワーデバイスおよびその製造方法を提供する。【解決手段】本パワーデバイスは、金属製支持基板10と、金属製支持基板10の一方の主面10m側に順次形成されているIII族窒化物導電層20、III族窒化物能動層30および電極40と、を含む。また、本パワーデバイスの製造方法は、金属製支持基板10にIII族窒化物導電層20が接合された導電層接合金属製支持基板12を準備する工程と、III族窒化物導電層20上にIII族窒化物能動層30を形成する工程と、III族窒化物能動層30上に電極40を形成する工程と、を備える。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

金属製支持基板と、前記金属製支持基板の一方の主面側に順次形成されているIII族窒化物導電層、III族窒化物能動層および電極と、を含むパワーデバイス。

IPC (9件)：

H01L 29/47 ,  H01L 29/872 ,  H01L 29/12 ,  H01L 29/78 ,  H01L 21/336 ,  H01L 21/28 ,  H01L 29/417 ,  H01L 21/02 ,  H01L 29/861

FI (11件)：

H01L29/48 F ,  H01L29/78 652T ,  H01L29/78 652L ,  H01L29/78 653A ,  H01L29/78 658K ,  H01L29/78 658E ,  H01L21/28 301B ,  H01L29/48 D ,  H01L29/50 M ,  H01L21/02 B ,  H01L29/91 F

Fターム (23件)：

4M104AA04 ,  4M104BB05 ,  4M104BB13 ,  4M104BB14 ,  4M104BB16 ,  4M104BB17 ,  4M104BB18 ,  4M104CC01 ,  4M104CC03 ,  4M104CC05 ,  4M104DD01 ,  4M104DD34 ,  4M104DD35 ,  4M104DD37 ,  4M104DD68 ,  4M104FF02 ,  4M104FF07 ,  4M104FF17 ,  4M104FF31 ,  4M104GG02 ,  4M104GG03 ,  4M104GG09 ,  4M104GG18

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開平4-042971
  
• 窒化物半導体装置、エピタキシャル基板および窒化ガリウム系エピタキシャル膜を形成する方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-342605   出願人：住友電気工業株式会社
• III族窒化物半導体層貼り合わせ基板および半導体デバイス
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2007-143922   出願人：住友電気工業株式会社
• 窒化物半導体素子の製造方法及び窒化物半導体素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-190549   出願人：日亜化学工業株式会社