III族窒化物半導体層貼り合わせ基板および半導体デバイス

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (7件)：深見久郎 , 森田俊雄 , 仲村義平 , 堀井豊 , 野田久登 , 酒井將行 , 荒川伸夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-143922
公開番号（公開出願番号）：特開2008-300562
出願日： 2007年05月30日
公開日（公表日）： 2008年12月11日
要約：

【課題】高特性の半導体デバイスを製造することができるIII族窒化物半導体層貼り合わせ基板、およびIII族窒化物半導体層貼り合わせ基板を含む半導体デバイスを提供する。【解決手段】本III族窒化物半導体層貼り合わせ基板は、III族窒化物半導体層と下地基板とが貼り合わされており、III族窒化物半導体層の熱膨張係数と下地基板の熱膨張係数との差が4.5×10-6K-1以下であり、下地基板の熱伝導率が50W・m-1・K-1以上であることを特徴とする。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

III族窒化物半導体層と下地基板とが貼り合わされているIII族窒化物半導体層貼り合わせ基板であって、前記III族窒化物半導体層の熱膨張係数と前記下地基板の熱膨張係数との差が4.5×10-6K-1以下であり、前記下地基板の熱伝導率が50W・m-1・K-1以上であることを特徴とするIII族窒化物半導体層貼り合わせ基板。

IPC (2件)：

H01L 33/00 , H01S 5/323

FI (2件)：

H01L33/00 C , H01S5/323 610

Fターム (22件)：

5F041AA33 , 5F041AA40 , 5F041CA05 , 5F041CA12 , 5F041CA34 , 5F041CA40 , 5F041CA65 , 5F041CA66 , 5F041CA71 , 5F041CA74 , 5F041CA77 , 5F173AH22 , 5F173AH43 , 5F173AH44 , 5F173AH45 , 5F173AP54 , 5F173AQ02 , 5F173AQ03 , 5F173AQ04 , 5F173AQ05 , 5F173AR72 , 5F173AR74

引用特許：

出願人引用 (1件)

GaNベースの半導体デバイスを製造する方法
公報種別：公表公報出願番号：特願2002-537058 出願人：オスラムオプトセミコンダクターズゲゼルシャフトミットベシュレンクテルハフツング

審査官引用 (5件)

窒化物半導体発光素子及び窒化物半導体発光素子の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2005-190074 出願人：住友電気工業株式会社, 独立行政法人理化学研究所
高放熱性能を持つ発光ダイオード
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-366166 出願人：住友電気工業株式会社, 株式会社アライドマテリアル
半導体発光ダイオードとその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2004-162374 出願人：株式会社イッツウエル

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