半導体装置

発明者： , ,
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-129921
公開番号（公開出願番号）：特開2010-267975
出願日： 2010年06月07日
公開日（公表日）： 2010年11月25日
要約：

【課題】酸化亜鉛に代表される酸化物半導体膜を用いて薄膜トランジスタを形成することで、作製プロセスを複雑化することなく、尚かつコストを抑えることができる半導体装置及びその作製方法を提供する。【解決手段】基板301上にゲート電極303を形成し、ゲート電極303を覆ってゲート絶縁膜304を形成し、ゲート絶縁膜304上に酸化物半導体膜305を形成し、酸化物半導体膜305上に第1の導電膜306及び第2の導電膜307を形成する半導体装置であって、酸化物半導体膜は、チャネル形成領域において少なくとも加熱処理LRTAにより結晶化した領域308を有する。【選択図】図3

請求項（抜粋）：

基板上に設けられたゲート電極と、前記ゲート電極上に設けられたゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜上に設けられた酸化物半導体膜と、前記酸化物半導体膜上に設けられた導電膜と、を備えるトランジスタを有し、前記ゲート絶縁膜は酸化アルミニウム膜又は窒化アルミニウム膜を有し、前記酸化アルミニウム膜又は窒化アルミニウム膜は前記酸化物半導体膜と接し、前記酸化物半導体膜の少なくともチャネル形成領域となる領域に対して加熱処理が行われていることを特徴とする半導体装置。

IPC (6件)：

H01L 29/786 , H01L 21/336 , H01L 21/20 , H01L 21/28 , H01L 51/50 , G02F 1/136

FI (9件)：

H01L29/78 627G , H01L29/78 618B , H01L29/78 617T , H01L29/78 619A , H01L21/20 , H01L21/28 301R , H01L21/28 301B , H05B33/14 A , G02F1/1368

Fターム (166件)：

2H092GA29 , 2H092GA51 , 2H092GA59 , 2H092GA60 , 2H092JA26 , 2H092JA35 , 2H092JA36 , 2H092JA46 , 2H092JB13 , 2H092JB57 , 2H092JB58 , 2H092JB63 , 2H092KA08 , 2H092KA12 , 2H092KA19 , 2H092KB14 , 2H092MA05 , 2H092MA08 , 2H092MA10 , 2H092MA13 , 2H092MA18 , 2H092MA19 , 2H092MA29 , 2H092MA30 , 2H092NA21 , 2H092NA27 , 2H092NA29 , 3K107AA01 , 3K107BB01 , 3K107BB06 , 3K107BB08 , 3K107CC14 , 3K107CC42 , 3K107CC45 , 3K107EE03 , 4M104AA08 , 4M104AA09 , 4M104AA10 , 4M104BB01 , 4M104BB02 , 4M104BB04 , 4M104BB05 , 4M104BB06 , 4M104BB13 , 4M104BB14 , 4M104BB16 , 4M104BB17 , 4M104BB18 , 4M104BB36 , 4M104BB40 , 4M104CC01 , 4M104CC05 , 4M104DD37 , 4M104DD80 , 4M104EE03 , 4M104EE12 , 4M104EE14 , 4M104EE16 , 4M104EE17 , 4M104FF08 , 4M104FF13 , 4M104GG04 , 4M104GG09 , 4M104GG14 , 5F110AA01 , 5F110AA16 , 5F110AA17 , 5F110AA28 , 5F110BB02 , 5F110BB20 , 5F110CC03 , 5F110CC07 , 5F110DD01 , 5F110DD02 , 5F110DD13 , 5F110DD14 , 5F110DD15 , 5F110DD17 , 5F110EE01 , 5F110EE02 , 5F110EE04 , 5F110EE06 , 5F110EE08 , 5F110EE09 , 5F110EE28 , 5F110EE42 , 5F110EE44 , 5F110FF01 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110FF04 , 5F110FF09 , 5F110FF10 , 5F110FF22 , 5F110FF26 , 5F110FF28 , 5F110FF30 , 5F110GG01 , 5F110GG13 , 5F110GG22 , 5F110GG25 , 5F110GG32 , 5F110GG35 , 5F110GG43 , 5F110GG45 , 5F110HK01 , 5F110HK02 , 5F110HK03 , 5F110HK04 , 5F110HK06 , 5F110HK07 , 5F110HK08 , 5F110HK21 , 5F110HK22 , 5F110NN03 , 5F110NN16 , 5F110NN22 , 5F110NN23 , 5F110NN24 , 5F110NN27 , 5F110NN34 , 5F110NN35 , 5F110NN71 , 5F110NN72 , 5F110NN73 , 5F110PP02 , 5F110PP03 , 5F110PP10 , 5F110PP11 , 5F110PP13 , 5F110QQ09 , 5F110QQ11 , 5F152BB01 , 5F152BB03 , 5F152CC02 , 5F152CC04 , 5F152CD13 , 5F152CD14 , 5F152CD15 , 5F152CD16 , 5F152CD17 , 5F152CD24 , 5F152CE01 , 5F152CE14 , 5F152CE16 , 5F152CE24 , 5F152CG10 , 5F152CG13 , 5F152CG15 , 5F152FF02 , 5F152FF03 , 5F152FF04 , 5F152FF06 , 5F152FF07 , 5F152FF08 , 5F152FF11 , 5F152FF14 , 5F152FF15 , 5F152FF16 , 5F152FF17 , 5F152FF43 , 5F152FF44 , 5F152FF45 , 5F152FF47 , 5F152FG01 , 5F152FG03

引用特許：

審査官引用 (6件)

半導体装置およびその製造方法ならびに電子デバイス
公報種別：公開公報出願番号：特願2004-079273 出願人：シャープ株式会社, 大野英男, 川崎雅司
薄膜トランジスタの製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-334406 出願人：カシオ計算機株式会社
アクティブマトリクス基板およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-061985 出願人：シャープ株式会社, 川崎雅司, 大野英男

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