成膜装置及び基板処理装置

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：井上俊夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-222747
公開番号（公開出願番号）：特開2010-056477
出願日： 2008年08月29日
公開日（公表日）： 2010年03月11日
要約：

【課題】高いスループットが得られると共に、1台の装置において、反応ガスの種類や、反応ガスの吸着時間が異なる多数のプロセスを実施することができて、プロセスの変更に対応する自由度が高い装置を提供すること。【解決手段】ウエハが配置された回転テーブルの回転方向において反応ノズル31,32との間に、分離ガスノズル41,42を設け、この分離ガスノズル41,42の前記回転方向両側にて低い天井面を形成するための天井部材4を設ける。この構成では、回転テーブルを回転させてウエハを移動させた状態で反応ガスを供給しているので、スループットが高くなる。また反応ガスノズル31,32や分離ガスノズル41,42を、真空容器1の周方向に沿って着脱自在に設ける共に、天井部材4を天板11に着脱自在に設けているので、処理領域の大きさや反応ガスの吸着時間を調整でき、プロセスの変更に対応する自由度が高くなる。【選択図】図3

請求項（抜粋）：

真空容器内にて互いに反応する少なくとも2種類の反応ガスを順番に基板の表面に供給し、かつこの供給サイクルを実行することにより反応生成物の層を多数積層して薄膜を形成する成膜装置において、真空容器内に、鉛直軸まわりに回転自在に設けられ、前記回転方向に沿って基板を載置する複数の基板載置領域を備えた回転テーブルと、前記回転テーブルにおける基板の載置領域側の面に互いに異なる反応ガスを供給するために、前記回転テーブルの回転方向に互いに離れて前記真空容器に対して設けられる2つ以上の反応ガス供給手段と、前記反応ガスが供給される第1の処理領域の雰囲気と、この反応ガスとは異なる反応ガスが供給される第2の処理領域の雰囲気との間における前記基板の通過領域に、前記第1の処理領域と第2の処理領域との雰囲気を分離する分離ガスを供給して分離領域を形成するために、前記真空容器に設けられた分離ガス供給手段と、前記分離領域から処理領域側に分離ガスが流れるための狭隘な空間を回転テーブルとの間に形成するために、前記真空容器の天板と回転テーブルとの間に着脱自在に設けられ、互いに異なる形状の中からプロセスの種別に応じて選択された天井部材と、前記第1の処理領域と第2の処理領域との雰囲気を分離するために真空容器内の中心部に位置し、前記回転テーブルの基板載置面側に分離ガスを吐出する吐出孔が形成された中心部領域と、前記分離領域の両側に拡散する分離ガス及び前記中心部領域から吐出する分離ガスと共に前記反応ガスを排気するための排気口と、を備えたことを特徴とする成膜装置。

IPC (2件)：

H01L 21/31 , C23C 16/455

FI (2件)：

H01L21/31 B , C23C16/455

Fターム (18件)：

4K030BB12 , 4K030EA03 , 4K030EA06 , 4K030EA11 , 4K030GA06 , 4K030KA12 , 5F045AA04 , 5F045AB32 , 5F045AC07 , 5F045AC11 , 5F045BB08 , 5F045DP15 , 5F045DP27 , 5F045EE14 , 5F045EE17 , 5F045EF01 , 5F045EG01 , 5F045EM10

引用特許：

出願人引用 (8件)

米国特許公報7,153,542号:図6(a),(b)
成膜装置および成膜方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-000183 出願人：東京エレクトロン株式会社
特許3144664号公報:図1、図2、請求項1

全件表示

審査官引用 (2件)

プラズマ発生装置およびそれを用いるワーク処理装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2006-243618 出願人：ノーリツ鋼機株式会社
高いスループットのCVD装置及び方法
公報種別：公表公報出願番号：特願2007-524318 出願人：アイクストロンアーゲー

前のページに戻る