特許

J-GLOBAL ID：201003028951823439

サファイア基板及びその製造方法

発明者： タニケッラ,ブラーマナンダム ブイ. ,  シンプソン,マシュー エー. ,  チンナカルパン,パラニアパン ,  リズート,ロバート エー. ,  チェリアン,アイザック ケー. ,  ベダンザム,ラマヌジャム
出願人/特許権者： サン-ゴバン セラミックス アンド プラスティクス,インコーポレイティド
代理人 (6件)： 青木 篤 ,  石田 敬 ,  古賀 哲次 ,  永坂 友康 ,  小林 良博 ,  河野上 正晴
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-544218
公開番号（公開出願番号）：特表2010-514581
出願日： 2007年12月21日
公開日（公表日）： 2010年05月06日
要約：

a面、r面、m面、及びc面配向からなる群から選択される結晶配向を有し且つ約0.037μm/cm2以下のnTTVを有する概ね平坦な表面を含み、ここでのnTTVは該概ね平坦な表面の表面積で規格化された総厚みばらつきであり、該基板は約9.0cm以上の直径を有する、サファイア基板。

請求項（抜粋）：

a面、r面、m面、及びc面配向からなる群から選択される結晶配向を有し且つ約0.037μm/cm2以下のnTTVを有する概ね平坦な表面を含むサファイア基板であって、 nTTVが該概ね0平坦な表面の表面積で規格化された総厚みばらつきであり、該基板は約9.0cm以上の直径を有する、 サファイア基板。

IPC (3件)：

B24B 1/00 ,  C30B 29/38 ,  C30B 25/18

FI (3件)：

B24B1/00 B ,  C30B29/38 D ,  C30B25/18

Fターム (16件)：

3C049AA02 ,  3C049AA04 ,  3C049AA19 ,  3C049CA05 ,  3C049CB01 ,  3C049CB02 ,  3C049CB03 ,  4G077AA03 ,  4G077BE15 ,  4G077DB01 ,  4G077ED04 ,  4G077ED06 ,  4G077HA02 ,  4G077HA12 ,  4G077TK01 ,  4G077TK04

引用特許：

審査官引用 (8件)

• 窒化ガリウム単結晶基板の製造方法、窒化ガリウム単結晶のエピタキシャル成長自立基板、及びその上に形成したデバイス素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-363269   出願人：日立電線株式会社
• サファイア基板研削研磨方法および装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-332120   出願人：株式会社岡本工作機械製作所
• 特許第3613345号
  
• サファイア基板とその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-069164   出願人：住友金属鉱山株式会社
• 特許第3613345号
  
• 特開昭57-095899
  
• 特開平1-165128
  
• 半導体用基板とその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-050727   出願人：京セラ株式会社