特許
J-GLOBAL ID：201003031244217930
高周波基板および高周波モジュール
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-129338
公開番号（公開出願番号）：特開2010-041714
出願日： 2009年05月28日
公開日（公表日）： 2010年02月18日
要約：
【課題】 外部からの不要電磁波の混入、外部への電磁波の放射を防止するとともに、高周波素子間の不要な結合を抑制したアイソレーション特性の優れた高周波基板および高周波モジュールを提供することである。【解決手段】 MMIC2,3同士を、積層型導波管線路である接続用導波管6で接続し、MMIC2,3と接続用導波管6とは、ボンディングワイヤ7,8、マイクロストリップ線路11,12を介して接続する。保護部材4,5は、その収容空間内に、MMIC2,3、ボンディングワイヤ7,8、変換部9,10、マイクロストリップ線路11,12を収容する。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
誘電体層および導電体層を積層して成り、複数の高周波素子を実装するための高周波基板において、
副線路部と主線路部と変換部とを有する積層型導波管であって、
前記副線路部は、前記誘電体層と、前記誘電体層を挟んで対向する副線路部上側主導体層及び副線路部下側主導体層と、この一対の副線路部上側及び下側主導体層を厚み方向に電気的に接続するように信号伝達方向に遮断波長以下の間隔で形成された二列のビアホール導体群と、を含み、
前記主線路部は、前記副線路部に接続され、前記副線路部の誘電体層よりも厚い誘電体層と、この誘電体層を挟んで対向する主線路部上側主導体層及び主線路部下側主導体層と、この一対の主線路部上側及び下側主導体層を厚み方向に電気的に接続するように信号伝達方向に遮断波長以下の間隔で形成された二列のビアホール導体群と、を含み、
前記変換部は、前記副線路部及び前記主線路部の前記上側主導体層が一体的に形成されて成る、
積層型導波管と、
前記積層型導波管に接続され、前記高周波素子同士を接続する接続用積層型導波管であって、
前記誘電体層を挟む一対の主導体層と、信号伝達方向に遮断波長以下の間隔で前記主導体層間を電気的に接続するように形成された二列のビアホール導体群とを備え、前記主導体層および前記ビアホール導体群に囲まれた領域によって高周波信号を伝達し、前記一対の主導体層のうち上側主導体層は、前記変換部より下側に位置し、前記一対の主導体層のうち下側主導体層は、前記副線路部下側主導体層よりも下側に位置する、前記高周波基板に内層される接続用積層型導波管と、
前記主線路部上側主導体層に接続されて形成される上側共有線路主導体層と、前記接続用導波管線路の下側主導体層に接続される下側共有線路主導体層と、この1対の共有線路主導体層に挟まれる前記誘電体層と、厚み方向に対向する上側共有線路主導体層及び下側共有線路主導体層と、前記上側共有線路主導体層及び下側共有線路主導体層を厚み方向に電気的に接続するように信号伝達方向に遮断波長以下の間隔で形成された二列のビアホール導体群とを含む共有線路部と、
前記高周波素子と、前記変換部とを接続する接続体と、
1つの高周波素子と、該高周波素子に接続される前記接続体と、該接続体に接続される前記変換部とを内部に収容する収容空間を有し、前記収容空間と外部空間との間で電磁波を遮蔽する保護部材とを備える高周波基板。
IPC (4件)：
H01P 5/08
, H01P 3/16
, H01P 5/107
, H01L 23/12
H01P5/08 L
, H01P3/16
, H01P5/107 E
, H01L23/12 301Z
