特許
J-GLOBAL ID：201003031514816548

回路基板の製造に用いる化学機械研磨用水系分散体、回路基板の製造方法、回路基板および多層回路基板

発明者：
馬場 淳

馬場 淳 について

, 
仕田 裕貴

仕田 裕貴 について


出願人/特許権者：
JSR株式会社

JSR株式会社 について


代理人 (3件)： 大渕 美千栄 ,  布施 行夫 ,  都築 美奈
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-112553
公開番号（公開出願番号）：特開2010-012593
出願日： 2009年05月07日
公開日（公表日）： 2010年01月21日
要約：
【課題】樹脂基板に銅または銅合金を含む配線層が設けられた回路基板を形成するために好適に用いられる化学機械研磨用水系分散体であって、銅または銅合金を研磨する速度が十分に高く、かつ、得られる回路基板の平坦性が良好な化学機械研磨用水系分散体を提供すること。【解決手段】本発明にかかる化学機械研磨用水系分散体は、樹脂基板に銅または銅合金を含む配線層が設けられた回路基板を形成するために用いる化学機械研磨用水系分散体であって、(A)有機酸および有機酸の塩の少なくとも1種と、(B)界面活性剤および水溶性高分子化合物の少なくとも1種と、(C)酸化剤と、(D)砥粒と、を含み、前記化学機械研磨用水系分散体に対する前記(A)成分の濃度MA(質量%)および前記(D)成分の濃度MD(質量%)において、MA/MD=1〜30の関係を有し、pHの値は、8〜12である。【選択図】なし
請求項（抜粋）：
樹脂基板に銅または銅合金を含む配線層が設けられた回路基板を形成するために用いる化学機械研磨用水系分散体であって、 (A)有機酸および有機酸の塩の少なくとも1種と、 (B)界面活性剤および水溶性高分子化合物の少なくとも1種と、 (C)酸化剤と、 (D)砥粒と、 を含み、 前記化学機械研磨用水系分散体に対する前記(A)成分の濃度MA(質量%)および前記(D)成分の濃度MD(質量%)において、MA/MD=1〜30の関係を有し、 pHの値は、8〜12である、化学機械研磨用水系分散体。
IPC (3件)：
B24B 37/00 ,  C09K 3/14 ,  H05K 3/26
FI (5件)：
B24B37/00 H ,  C09K3/14 550Z ,  C09K3/14 550C ,  C09K3/14 550D ,  H05K3/26 F
Fターム (11件)：
3C058AA07 ,  3C058CB01 ,  3C058CB03 ,  3C058CB10 ,  3C058DA02 ,  3C058DA12 ,  3C058DA17 ,  5E343BB24 ,  5E343EE01 ,  5E343FF23 ,  5E343GG11
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (3件)

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