特許

J-GLOBAL ID：201003031606482247

スルホニウム塩、酸発生剤及びこれを用いたレジスト材料、フォトマスクブランク、並びにパターン形成方法

発明者： 大橋 正樹 ,  金生 剛 ,  渡邉 聡 ,  大澤 洋一
出願人/特許権者： 信越化学工業株式会社
代理人 (4件)： 小島 隆司 ,  重松 沙織 ,  小林 克成 ,  石川 武史
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-269357
公開番号（公開出願番号）：特開2010-155824
出願日： 2009年11月27日
公開日（公表日）： 2010年07月15日
要約：

【解決手段】一般式(1)で示されるスルホニウム塩。(R1はヘテロ原子を含んでもよい一価の炭化水素基を示す。R1がビニル基及びイソプロペニル基である場合を除く。R2、R3及びR4はアルキル基、アルケニル基又はオキソアルキル基、又はアリール基、アラルキル基又はアリールオキソアルキル基を示すか、あるいはR2、R3及びR4のうちのいずれか2つ以上が相互に結合して式中の硫黄原子と共に環を形成してもよい。nは1〜3。)【効果】本発明の化学増幅型レジスト材料は、焦点余裕度に優れ、PEDが長時間にわたる場合にも線幅変動、形状劣化が少なく、現像後のパターンプロファイル形状に優れ、また微細加工に適した高解像性を有する。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

下記一般式(1)で示されるスルホニウム塩。

IPC (6件)：

C07C 309/12 ,  G03F 7/004 ,  G03F 7/039 ,  G03F 7/038 ,  H01L 21/027 ,  C07C 381/12

FI (6件)：

C07C309/12 ,  G03F7/004 503A ,  G03F7/039 601 ,  G03F7/038 601 ,  H01L21/30 502R ,  C07C381/12

Fターム (46件)：

2H125AE04P ,  2H125AF17P ,  2H125AF38P ,  2H125AF70P ,  2H125AH05 ,  2H125AH06 ,  2H125AH11 ,  2H125AH12 ,  2H125AH15 ,  2H125AH16 ,  2H125AH21 ,  2H125AJ04X ,  2H125AJ08X ,  2H125AJ14X ,  2H125AJ14Y ,  2H125AJ43X ,  2H125AJ43Y ,  2H125AJ48X ,  2H125AJ48Y ,  2H125AJ65X ,  2H125AJ69X ,  2H125AL02 ,  2H125AL11 ,  2H125AM12P ,  2H125AM15P ,  2H125AM66P ,  2H125AM99P ,  2H125AN39P ,  2H125AN42P ,  2H125AN56P ,  2H125AN57P ,  2H125AN88P ,  2H125BA01P ,  2H125BA26P ,  2H125BA32P ,  2H125CA08 ,  2H125CA12 ,  2H125CB08 ,  2H125CB09 ,  2H125CB16 ,  2H125CC01 ,  2H125CC03 ,  2H125CC15 ,  2H125CC17 ,  4H006AA01 ,  4H006AB48

引用特許：

審査官引用 (3件)

• ポジ型レジスト組成物
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-321128   出願人：富士写真フイルム株式会社
• レジスト材料及びパターン形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-097649   出願人：信越化学工業株式会社
• パターン形成方法並びにそれに用いられる感放射線性樹脂組成物及び感放射線性酸発生基含有樹脂
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2006-157873   出願人：JSR株式会社