特許
J-GLOBAL ID：201003031784204676
半導体発光素子の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
藤村 元彦
, 高野 信司
, 永岡 重幸
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-315315
公開番号（公開出願番号）：特開2010-141084
出願日： 2008年12月11日
公開日（公表日）： 2010年06月24日
要約：
【課題】半導体発光素子の光取り出し効率及び放熱性の向上を図るとともに、成長用基板の剥離時における成長層表面でのクラック発生を防止して歩留まり向上を図ることができる半導体発光素子の製造方法を提供する。【解決手段】成長用基板の表面に半導体発光素子領域を画定する複数の分離溝を形成し、成長用基板上に成長層を形成し、成長層上に第1の電極を形成し、成長層を分離し、分離溝の内部と外部とにおいて離間した絶縁膜を形成し、分離溝の内部と外部とにおいて離間したパッド電極を形成し、パッド電極を覆う金属層を分離溝の外部に形成し、成長用基板を成長層から剥離する。【選択図】図7
請求項（抜粋）：
成長用基板の表面に半導体発光素子領域を画定する複数の分離溝を形成する溝形成工程と、
前記分離溝を形成した前記成長用基板上に、第1の導電型を有し且つAlxInyGazN(0≦x≦1、0≦y≦1、0≦z≦1、x+y+z=1)からなる第1半導体層、活性層及び第2の導電型を有し且つAlxInyGazN(0≦x≦1、0≦y≦1、0≦z≦1、x+y+z=1)からなる第2半導体層を順次積層して成長層を形成する成長工程と、
前記半導体発光素子領域に形成された前記成長層上に第1の電極を形成する第1の電極形成工程と、
前記分離溝部分にエッチングを施して、前記成長層を分離する分離工程と、
前記半導体発光素子領域に形成された前記成長層の表出面及び前記分離溝の底部に絶縁膜を形成する絶縁膜形成工程と、
前記第1の電極の表出した部分及び前記絶縁膜上にパッド電極を形成するパッド電極形成工程と、
前記パッド電極を覆う金属層を前記分離溝の外部に形成する金属層形成工程と、
レーザリフトオフ法によって前記成長用基板を前記成長層から剥離して前記成長層を表出させる剥離工程と、を有し、
前記絶縁膜形成工程は、前記分離溝の内部の前記絶縁膜と前記分離溝の外部の前記絶縁膜とを離間して形成し、
前記パッド電極形成工程は、前記分離溝の内部の前記パッド電極と前記分離溝の外部の前記パッド電極とを離間して形成することを特徴とする半導体発光素子の製造方法。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (6件)：
5F041AA04
, 5F041AA33
, 5F041CA05
, 5F041CA12
, 5F041CA40
, 5F041CA65
出願人引用 (2件)
審査官引用 (6件)
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