特許
J-GLOBAL ID：201003032817914662
窒化物半導体発光素子およびその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (3件)：
大野 聖二
, 森田 耕司
, 片山 健一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-219525
公開番号（公開出願番号）：特開2010-056282
出願日： 2008年08月28日
公開日（公表日）： 2010年03月11日
要約：
【課題】閾値電流密度の低い窒化物半導体発光素子を提供すること。【解決手段】主面がa面の基板10を用い、この上に成長させる活性層16を、AlyGa1-yN(0≦y≦1)の組成等の障壁層とAlxGa1-xN(0≦x≦1、x<y)の組成等の井戸層を備えた量子井戸構造のものとし、当該活性層16の結晶成長の主面の法線方向をc軸方向と40°〜90°の範囲内の角度を成すようにして、該活性層16からの発光が、c軸と平行な電界成分E(E//c)が支配的となる偏光特性を有するようにした。また、活性層16の井戸層と障壁層の組成を適正な範囲に設計することとして、井戸層の面内圧縮歪みを低減させ、活性層16から発光する光の更なる効率的光導波を実現することとした。【選択図】図5
請求項（抜粋）：
基板上に、第1の導電型の半導体層と、量子井戸構造を有する活性層と、前記第1の導電型とは逆の第2の導電型の半導体層とが順次積層された窒化物半導体発光素子であって、
前記基板の主面はa面であり、
前記活性層は、AlyGa1-yN(0≦y≦1)の組成の障壁層とAlxGa1-xN(0≦x≦1、x<y)の組成の井戸層を備えており、
前記活性層の結晶成長の主面の法線方向はc軸方向と40°〜90°の範囲内の角度を成し、
該活性層からの発光は、前記c軸と平行な電界成分E(E//c)が支配的となる偏光特性を有していることを特徴とする窒化物半導体発光素子。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01S5/343 610
, H01L33/00 C
5F041AA03
, 5F041AA04
, 5F041CA04
, 5F041CA05
, 5F041CA23
, 5F041CA40
, 5F041CA65
, 5F041CA66
, 5F041CB36
, 5F173AA08
, 5F173AF04
, 5F173AF15
, 5F173AF20
, 5F173AH22
, 5F173AH42
, 5F173AJ04
, 5F173AJ13
, 5F173AP06
, 5F173AP10
, 5F173AP24
, 5F173AP84
, 5F173AR02
, 5F173AR23
出願人引用 (3件)
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窒化物半導体発光素子とその製造方法
公報種別：公開公報
出願番号：特願2006-015588
出願人：シャープ株式会社, 国立大学法人山口大学
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発光ダイオード
公報種別：公開公報
出願番号：特願2005-356768
出願人：松下電工株式会社
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窒化物半導体装置
公報種別：公開公報
出願番号：特願2000-367964
出願人：松下電器産業株式会社
審査官引用 (2件)
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窒化物半導体装置
公報種別：公開公報
出願番号：特願2000-367964
出願人：松下電器産業株式会社
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発光ダイオード
公報種別：公開公報
出願番号：特願2005-356768
出願人：松下電工株式会社
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