特許

J-GLOBAL ID：201003033115506260

半導体装置および半導体装置の製造方法

発明者： 井手 慎吾 ,  松村 保範 ,  山縣 誠
出願人/特許権者： 三井金属鉱業株式会社
代理人 (2件)： 牧村 浩次 ,  高畑 ちより
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-068051
公開番号（公開出願番号）：特開2010-045325
出願日： 2009年03月19日
公開日（公表日）： 2010年02月25日
要約：

【課題】個々にサイズや発熱量が異なる電子部品が実装された半導体装置であっても、それぞれを所定の温度以下にすることができ、所定の機能を果たすことのできる半導体装置および半導体装置の製造方法を提供すること。【解決手段】ポリイミド基板と、前記ポリイミド基板の表面に形成された配線パターンと、前記配線パターンのインナーリードに接合された電子部品と、を備えてなるとともに、前記配線パターンのリード部分を除く表面に絶縁保護膜が被覆されてなる半導体装置であって、前記絶縁保護膜の表面に、厚さ,面積,および金属の種類のいずれかを調整することで電子部品の実測表面温度を想定表面温度に下げることのできる金属層からなる放熱手段を有する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

ポリイミド基板と、前記ポリイミド基板の表面に形成された配線パターンと、前記配線パターンのインナーリードに接合された電子部品と、を備えてなるとともに、前記配線パターンのリード部分を除く表面に絶縁保護膜が被覆されてなる半導体装置であって、 前記絶縁保護膜の表面に、 厚さ,面積,および金属の種類のいずれかを調整することで電子部品の実測表面温度を想定表面温度に下げることのできる金属層からなる放熱手段を有することを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 23/36 ,  H01L 23/34 ,  H01L 23/12

FI (3件)：

H01L23/36 C ,  H01L23/34 A ,  H01L23/12 J

Fターム (5件)：

5F136BB01 ,  5F136BC07 ,  5F136FA02 ,  5F136FA03 ,  5F136FA54

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 半導体装置用テープキャリア及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2006-076542   出願人：日立電線株式会社
• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-345536   出願人：株式会社ルネサステクノロジ
• 半導体装置用接着剤付きフィルム、金属箔付き積層フィルム、半導体装置用接着シート及びそれを用いた半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-073262   出願人：東レ株式会社
• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-300783   出願人：日立電線株式会社