表示装置及び表示装置製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：特許業務法人はるか国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-078203
公開番号（公開出願番号）：特開2010-230965
出願日： 2009年03月27日
公開日（公表日）： 2010年10月14日
要約：

【課題】表示装置の薄膜トランジスタ基板において、窒化ケイ素膜上への銅の微細配線を、より簡易に行う。【解決手段】微細配線がされたTFT基板は、無アルカリガラスからなるガラス基板101と、インジウム錫酸化物からなる透明導電膜102と、アルミニウムを4原子%含有し銅を主成分とする合金からなる第一の導電層103及び109と、99.99%純度の純銅からなる銅配線である第二の導電層104及び110と、窒化ケイ素からなるゲート絶縁膜106と、非晶質ケイ素からなる半導体層107と、n+型非晶質ケイ素からなるコンタクト層108と、透明導電膜102と第一の導電層103との界面の金属酸化物層105と、を備える。【選択図】図5A

請求項（抜粋）：

窒化ケイ素の膜により形成された窒化ケイ素層と、前記窒化ケイ素層上に形成され、アルミニウム、ホウ素、ベリリウム、ハフニウム、マグネシウム、ニオブ、スカンジウム、チタニウム、バナジウム、ジルコニウムのうちから少なくとも一種の元素を第1添加元素として含み、更にマンガンを含む銅を主成分とする合金により形成された第1銅合金層と、前記第1合金層の上に純銅により形成された第1純銅配線と、を有する薄膜トランジスタ基板を備える表示装置。

IPC (10件)：

G09F 9/30 , H01L 21/28 , H01L 29/786 , H01L 29/423 , H01L 29/49 , H01L 29/417 , H01L 21/320 , H01L 23/52 , G02F 1/136 , G09F 9/00

FI (10件)：

G09F9/30 338 , H01L21/28 301R , H01L29/78 612C , H01L29/78 617M , H01L29/78 616V , H01L29/58 G , H01L29/50 M , H01L21/88 R , G02F1/1368 , G09F9/00 338

Fターム (118件)：

2H092JA26 , 2H092JA40 , 2H092JA44 , 2H092JA46 , 2H092JA48 , 2H092JB24 , 2H092JB33 , 2H092KA12 , 2H092KA19 , 2H092KB05 , 2H092MA16 , 2H092MA18 , 2H092NA18 , 2H092NA28 , 2H092NA29 , 4M104AA09 , 4M104BB01 , 4M104BB04 , 4M104BB36 , 4M104BB38 , 4M104BB39 , 4M104CC01 , 4M104CC05 , 4M104DD29 , 4M104DD37 , 4M104DD63 , 4M104EE03 , 4M104EE16 , 4M104EE17 , 4M104FF02 , 4M104FF18 , 4M104GG09 , 4M104GG10 , 4M104GG14 , 4M104HH09 , 4M104HH14 , 5C094AA21 , 5C094AA43 , 5C094AA44 , 5C094BA03 , 5C094BA27 , 5C094BA43 , 5C094CA19 , 5C094DA13 , 5C094EA10 , 5C094FB02 , 5C094FB12 , 5C094GB10 , 5F033GG04 , 5F033HH11 , 5F033HH12 , 5F033HH38 , 5F033JJ01 , 5F033JJ11 , 5F033JJ12 , 5F033JJ38 , 5F033KK11 , 5F033KK12 , 5F033LL02 , 5F033LL04 , 5F033MM08 , 5F033MM15 , 5F033PP15 , 5F033QQ00 , 5F033QQ01 , 5F033QQ08 , 5F033QQ09 , 5F033QQ37 , 5F033QQ74 , 5F033QQ76 , 5F033QQ78 , 5F033RR06 , 5F033SS15 , 5F033VV06 , 5F033VV15 , 5F033XX03 , 5F033XX13 , 5F033XX14 , 5F033XX28 , 5F033XX34 , 5F110AA16 , 5F110BB01 , 5F110CC07 , 5F110DD01 , 5F110DD02 , 5F110EE06 , 5F110EE07 , 5F110EE12 , 5F110EE14 , 5F110EE15 , 5F110EE44 , 5F110FF03 , 5F110FF30 , 5F110GG02 , 5F110GG15 , 5F110GG45 , 5F110HK06 , 5F110HK09 , 5F110HK16 , 5F110HK18 , 5F110HK21 , 5F110HK33 , 5F110HK35 , 5F110HK42 , 5F110HL07 , 5F110HL23 , 5F110NN04 , 5F110NN24 , 5F110NN35 , 5F110QQ02 , 5F110QQ09 , 5G435AA17 , 5G435BB05 , 5G435BB12 , 5G435CC09 , 5G435HH12 , 5G435HH14 , 5G435KK05

引用特許：

審査官引用 (6件)

液晶表示装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2007-128154 出願人：株式会社日立ディスプレイズ
銅配線層、銅配線層の形成方法、半導体装置、及び半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2006-027244 出願人：株式会社液晶先端技術開発センター
薄膜トランジスタ基板、および表示デバイス
公報種別：公開公報出願番号：特願2007-163093 出願人：株式会社神戸製鋼所

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