液晶表示装置及びその製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：舛谷威志
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-124037
公開番号（公開出願番号）：特開2008-282887
出願日： 2007年05月09日
公開日（公表日）： 2008年11月20日
要約：

【課題】本発明は、半導体層あるいは画素電極との密着性が高い酸化被膜を形成して、配線材料等の酸化を防止できると共に、導電率が高いソース電極あるいはドレイン電極を備えた液晶表示装置及びその製造方法を提供することにある。【解決手段】本発明では、液晶表示装置を構成するTFT基板上のTFT電極において、ソース電極あるいはドレイン電極が、銅を主体とした層と、該銅を主体とした層を被覆する酸化物からなることを特徴とする。さらに、本発明は、前記TFT電極において、半導体層あるいは画素電極と、前記ソース電極あるいはドレイン電極とが、オーミック接合していることを特徴とする。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

液晶表示装置を構成するTFT基板上のTFT電極において、ソース電極あるいはドレイン電極が、銅を主体とした層と、該銅を主体とした層を被覆する酸化物からなることを特徴とする液晶表示装置。

IPC (10件)：

H01L 29/786 , H01L 21/28 , H01L 29/417 , H01L 29/423 , H01L 29/49 , H01L 21/320 , H01L 23/52 , G02F 1/134 , G02F 1/136 , G09F 9/30

FI (11件)：

H01L29/78 616V , H01L29/78 612C , H01L29/78 616U , H01L29/78 619A , H01L21/28 301R , H01L29/50 M , H01L29/58 G , H01L21/88 M , G02F1/1343 , G02F1/1368 , G09F9/30 338

Fターム (116件)：

2H092JA24 , 2H092JA40 , 2H092JA44 , 2H092JA46 , 2H092JA47 , 2H092KA05 , 2H092KA07 , 2H092KA19 , 2H092KA24 , 2H092KB05 , 2H092KB14 , 2H092MA05 , 2H092MA07 , 2H092MA13 , 2H092MA17 , 2H092NA18 , 2H092NA28 , 2H092QA06 , 4M104AA01 , 4M104AA08 , 4M104AA09 , 4M104BB04 , 4M104BB38 , 4M104BB39 , 4M104CC01 , 4M104CC05 , 4M104DD37 , 4M104DD64 , 4M104DD78 , 4M104DD86 , 4M104DD89 , 4M104EE02 , 4M104EE03 , 4M104EE05 , 4M104EE09 , 4M104EE16 , 4M104FF08 , 4M104GG09 , 4M104GG10 , 4M104GG14 , 4M104GG20 , 4M104HH08 , 4M104HH16 , 5C094AA31 , 5C094BA03 , 5C094BA43 , 5C094DA13 , 5C094FB14 , 5C094GB10 , 5F033GG03 , 5F033HH12 , 5F033JJ12 , 5F033KK05 , 5F033KK06 , 5F033LL02 , 5F033MM15 , 5F033PP15 , 5F033QQ08 , 5F033QQ19 , 5F033QQ73 , 5F033QQ76 , 5F033QQ80 , 5F033RR03 , 5F033SS26 , 5F033SS27 , 5F033TT08 , 5F033VV06 , 5F033VV15 , 5F033WW02 , 5F033WW04 , 5F033XX10 , 5F033XX13 , 5F033XX33 , 5F110AA03 , 5F110AA14 , 5F110AA26 , 5F110BB01 , 5F110CC05 , 5F110CC07 , 5F110DD02 , 5F110EE01 , 5F110EE06 , 5F110EE11 , 5F110EE15 , 5F110EE23 , 5F110EE44 , 5F110EE48 , 5F110FF01 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110FF04 , 5F110FF09 , 5F110FF30 , 5F110GG02 , 5F110GG15 , 5F110GG45 , 5F110HK01 , 5F110HK02 , 5F110HK06 , 5F110HK09 , 5F110HK16 , 5F110HK18 , 5F110HK22 , 5F110HK33 , 5F110HK35 , 5F110HK41 , 5F110HK42 , 5F110HL07 , 5F110NN02 , 5F110NN22 , 5F110NN23 , 5F110NN24 , 5F110NN27 , 5F110NN35 , 5F110NN73 , 5F110QQ09

引用特許：

出願人引用 (9件)

アルミニウム合金スパッタリングタ-ゲット材料
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-374003 出願人：株式会社神戸製鋼所
液晶表示装置用アレイ基板及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-301679 出願人：エルジーフィリップスエルシーディーカンパニーリミテッド
表示装置及びその作製方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-327039 出願人：株式会社半導体エネルギー研究所

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審査官引用 (9件)

薄膜半導体素子及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-053674 出願人：松下電器産業株式会社
薄膜トランジスタアレイ基板の製造方法及び液晶表示装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-360321 出願人：三菱電機株式会社
半導体用銅合金配線及びスパッタリングターゲット並びに半導体用銅合金配線の形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2004-256868 出願人：株式会社日鉱マテリアルズ

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