特許
J-GLOBAL ID：201003034372926544
半導体レーザ
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (4件)：
藤島 洋一郎
, 三反崎 泰司
, 長谷部 政男
, 田名網 孝昭
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-089306
公開番号（公開出願番号）：特開2010-251342
出願日： 2009年04月01日
公開日（公表日）： 2010年11月04日
要約：
【課題】高出力のシングルモード発振を簡易な構成かつ低閾値電流で実現することの可能な半導体レーザを提供する。【解決手段】メサ部17内には、AlxGayIn1-x-yP(0≦x<1、0<y<1)系の材料(赤色系の材料)からなる活性層13と、面内の中央領域に未酸化領域18Bを有すると共に、未酸化領域18Bの周縁に環状の酸化領域18Aを有する電流狭窄層18とが設けられている。メサ部17の上面には、未酸化領域18Bに対応して高反射領域23Aを有すると共に、高反射領域23Aの周縁に環状の低反射領域23Bを有する横モード調整層30が設けられている。酸化領域18Bの直径Doxおよび未酸化領域18Bの直径Dhrは0.8<Dhr/Dox<1.5を満たしている。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
基板上に、第1多層膜反射鏡、第1スペーサ層、AlxGayIn1-x-yP(0≦x<1、0<y<1)系の活性層、第2スペーサ層、第2多層膜反射鏡および横モード調整層を前記基板側から順に有すると共に電流狭窄層を有する柱状の積層構造を備え、
前記電流狭窄層は、面内の中央領域に未酸化領域を有すると共に、前記未酸化領域の周縁に環状の酸化領域を有し、
前記横モード調整層は、前記未酸化領域に対応して高反射領域を有すると共に、前記高反射領域の周縁に環状の低反射領域を有し、
前記未酸化領域の直径をDoxとし、前記高反射領域の直径をDhrとすると、DoxおよびDhrは以下の関係式を満たす
半導体レーザ。
0.8<Dhr/Dox<1.5
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (7件)：
5F173AC03
, 5F173AC13
, 5F173AC35
, 5F173AC42
, 5F173AC52
, 5F173AR33
, 5F173AR75
