特許
J-GLOBAL ID：200903083600489460
単一モードVCSEL用の多機能方法およびシステム
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (6件)：
社本 一夫
, 増井 忠弐
, 小林 泰
, 千葉 昭男
, 富田 博行
, 西山 文俊
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-547270
公開番号（公開出願番号）：特表2004-529487
出願日： 2001年11月26日
公開日（公表日）： 2004年09月24日
要約：
下部表面と上部表面とを有する半導体基板(102)と、基板の下部表面に沿って配置された下部電気接点(104)と、n型材料から形成され、基板の上部表面上に配置された下部ミラー(106)と、下部ミラー部分上に配置された複数の量子井戸を有する活性領域(108)と、等方性物質から形成され、活性領域上に配置された上部ミラー(110)と、上部ミラー部分上に配置された等電位層(112)と、第1の上部電気接点から特定の距離(124)をおいて等電位層上に配置された第1の上部電気接点(120)と、第1の上部接点の下に配置され、等電位層、上部ミラー、活性領域、下部ミラーを横切る第1の分離領域(126)と、第2の上部接点の下に配置され、等電位層、上部ミラー、活性領域、下部ミラーを横切る第2の分離領域(128)と、上部ミラーと等電位層との間に挿入され、第1の上部接点と第2の上部接点との間の特定の距離より小さい寸法の開口(118)をそれらの間に形成するように適合された絶縁層(114、116)とを含む、単一モードVCSEL(垂直空洞共振器表面発光ダイオードレーザ)コンポーネント(100)を提供するためのシステムおよび方法を開示する。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
基板と、前記基板の下部表面上に配置された底部接点部分と、前記基板の上部表面上に配置された下部ミラー部分と、前記下部ミラー部分上に配置された活性領域と、電気的等方性物質から形成され、活性領域上に配置された上部ミラー部分とを有するVCSEL構造を形成するステップと、
前記上部ミラー部分上に配置された実質的等電位層を設けるステップと、
前記上部ミラー部分と前記等電位層との間に電気的絶縁層を選択的に挿入して、それらの間に開口を形成するステップと、
前記等電位層上に配置された上部接点部分を設けるステップと、
を含む単一モードVCSELを生産する方法。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (4件)：
5F073AA07
, 5F073AA51
, 5F073AA61
, 5F073AB17
