特許
J-GLOBAL ID:200903034092187648

面発光型半導体レーザ

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (2件): 藤島 洋一郎 ,  三反崎 泰司
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2006-159719
公開番号(公開出願番号):特開2007-201398
出願日: 2006年06月08日
公開日(公表日): 2007年08月09日
要約:
【課題】簡易かつ安価に製造可能であり、レーザ光の偏光方向を一方向に安定化することが可能であり、かつ基本横モードの光出力を低減することなく高次横モード発振を抑制することが可能な面発光型半導体レーザを提供する。【解決手段】下部DBRミラー層11、発光中心領域を有する活性層13、上部DBRミラー層15および横モード調整層17がこの順に積層されている。下部DBRミラー層11は対角線の交点が発光中心領域に対応する四辺形状の電流注入領域11C-1を有し、上部DBRミラー層15は電流注入領域11C-1のうち一方の対角線に対応する領域に設けられた光出射口22と、これを間にして設けられた一対のトレンチ31,31とを有する。横モード調整層17は光出射口22に対応して設けられると共に、周辺領域22Bの反射率が中央領域22Aのそれよりも低くなるように構成される。【選択図】図1
請求項(抜粋):
基板上に、第1多層膜反射鏡、発光中心領域を有する活性層、第2多層膜反射鏡および横モード調整層がこの順に積層されたレーザ構造を備え、 前記第1多層膜反射鏡および第2多層膜反射鏡のいずれか一方は、対角線の交点が前記発光中心領域に対応する四辺形状の電流注入領域を有し、 前記第2多層膜反射鏡は、前記電流注入領域のうち一方の対角線に対応する領域に設けられた光出射口と、前記光出射口を間にして設けられた一対の溝部とを有し、 前記横モード調整層は、前記光出射口に対応して設けられると共に、前記光出射口のうち前記発光中心領域に対応する中央領域を除く周辺領域の反射率が前記中央領域のそれよりも低くなっている ことを特徴とする面発光型半導体レーザ。
IPC (1件):
H01S 5/183
FI (1件):
H01S5/183
Fターム (26件):
5F173AC03 ,  5F173AC13 ,  5F173AC26 ,  5F173AC34 ,  5F173AC42 ,  5F173AC48 ,  5F173AC52 ,  5F173AF92 ,  5F173AF96 ,  5F173AG20 ,  5F173AH02 ,  5F173AK21 ,  5F173AL10 ,  5F173AL13 ,  5F173AL14 ,  5F173AL17 ,  5F173AP05 ,  5F173AP33 ,  5F173AP67 ,  5F173AP73 ,  5F173AP75 ,  5F173AP79 ,  5F173AR14 ,  5F173AR33 ,  5F173AR43 ,  5F173AR94
引用特許:
審査官引用 (12件)
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